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2.7.3其他类型的CMOS门电路 六、 CMOS电路的使用注意事项 作 业 门电路的外特性有哪些？ 画出三输入或非门（CMOS），简单分析其工作原理； 2.3 2.11 2.14 2.15 TG1 TG2 A B Y A=1、B=1时，TG1截止，TG2导通，Y=B =0; ′ 1、电源问题 CMOS器件通常为单电源供电，电源电压范围比较宽。 工作在不同电源电压下的器件，其输出阻抗、噪声容限、工作速度和功耗等也会不同，使用中应注意。 几种CMOS电路的电源电压值 0.8~2.7 1.2~3.6 4.5~5.5 2～6 3～18 电源电压范围 3.6 6.5 7 7 20 最大电压额定值 74AUC (超低电压) 74LVC (低电压) 74HCT (高速) 74HC (高速） 4000B 类型 参数 不同的CMOS器件对电源电压的要求不同，如下表： 2、防静电打击和过压击穿 CMOS输入端是FET的栅极，输入阻抗极高，氧化层很薄，极易被击穿造成永久性的损坏，在使用时要注意防止静电打击或其他瞬变电压引起的过压击穿 ②在储存和运输过程中，最好采用导电材料进行屏蔽 ③调试电路时应使电烙铁或其他工具、仪表良好接地 3、注意电源电压极性，防止输出端短路 ①CMOS电路的电源电压，切记不能把极性接反，否则会使保 护二极管因过流而损坏。 ②电路输出端既不能和电源短接，也不能和地短接，否则输 出级的MOS管就会因过流而损坏。 ③除了OD门和三态门之外，不同输出端不能并联起来使用， 否则容易造成输出级MOS 管因过流而损坏。 ①在安装、改变电路连接、插拔CMOS器件时，须先切断电源 * * * 一、知识回顾 §2.7 CMOS逻辑门电路 1、MOSFET的分类 （a）N沟道增强型MOSFET （b）P沟道增强型MOSFET （c）N沟道耗尽型MOSFET （c）P沟道耗尽型MOSFET ○ ○ ○ G D S （a） ○ ○ ○ G D S （b） ○ ○ ○ G D S （c） ○ ○ ○ G D S （d） B B B B 2、增强型MOSFET的开关特性 vDS iD 0 BVDS VGS1 VGS2 VGS3 VGS(th) 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 ○ ○ ○ ○ G D S B （1）N沟道增强型MOSFET： （NMOS） D S 断开 D S 导通 （几百欧） ○ ○ ○ ○ G D S B D S 导通 （几百欧） （2）P沟道增强型MOSFET： D S 断开 注：PMOS的VGS(th)为负值 +VDD S D A S G Y 1、CMOS反相器的电路结构 CMOS电路 Complementary -Symmetry MOS（互补对称式MOS） （负载管） （驱动管） PMOS管 NMOS管 2.7.1 CMOS反相器 +VDD S D A S G Y 2、工作原理 PMOS管 NMOS管 假设： ① VA=0V， NMOS管截止； PMOS管导通； Y=“1” A=“0” +VDD S D A S G Y 2、工作原理 PMOS管 NMOS管 假设： ① VA=0V， NMOS管截止； PMOS管导通； Y=“1” A=“0” ② VA=VDD， A=“1” NMOS管导通； PMOS管截止； Y=“0” 实现反相功能 3、CMOS反相器的外部特性 （1）电压传输特性 ①阈值电压： A Y ?反相器截止 ?反相器导通 ②转折区变化率很大，接近理想开关。 ③输入端噪声容限大 截止区 转折区 导通区 （2）电流传输特性 ①稳态时，iD很小，静态功耗很低。 ②状态发生变化时，iD较大， 动态功耗较大。 （3）输入伏安特性 CMOS反相器输入电压的正常范围是： 在此输入电压范围内， （栅极不取电流） 输入保护电路（P81)： MOSFET具有很高的输入阻抗，若输入端存在漏电流，就会产生极高的压降，致使SiO2层被击穿，因此一般都加保护。 （4）输出特性 低电平输出特性： 高电平输出特性： 灌电流负载 拉电流负载 （5）传输延迟特性 由于CMOS电路具有互补对称的性质，因此其导通延迟时间和截止延迟时间是相等的，平均传输延迟时间小于10ns。 CMOS反相器驱动其他MOS器件时，负载的输入阻抗是电容性的，在输出发生状态转换时，存在电容的充放电过程，这是影响其工作速度的主要原因。 tpHL＝ tpLH 1、CMOS与非门 +VDD A Y T2 T1 B T3 T4 S S S S G G F = 结构特点： NMOS管串联