FIB修补技术在集成电路可靠性失效分析中的应用.pdfVIP

‘ FIB修补技术在集成电路可靠性失效分析中的应用 张东明葛岩 夏增浪 贾淑文 (北京9243信箱 100076) 摘要:本文简单介绍了FIB(FocusIonBeam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际 工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用. 关键词:FIB修补技术，刻蚀，淀积，测试点制作，剖面，修改 一、引言 集成电路的发展速度惊人，单个芯片的集成度成指数发展，线条尺寸不断缩小，己经 达到深亚微米，金属布线也己经达到4-5层甚至更多层，因此对集成电路的探测和分析难 度越来越大，FIB技术的出现满足了这一需求。它可以帮助探测，分析和诊断IC。今天， FIB技术己经在这一领域得到了重要的应用，它在 IC和其他领域的应用还有特于进一步 开发。 二、原理 当加速离子打在器件表面，表面材料会不同程度地激发出二次电子，三次电子的数量 与表面材料的性质，电位和形貌有关。当对FIB进行光栅扫描，表面材料各点发射二次电 子的情况依次被记录，将激发的二次电子收集.转变成电信号并放大，再将电信号转变成 图象信息便可以得到局部扫描图象。这一功能不仅应用在电路的形貌分析上，还实现了在 刻蚀和淀积过程中进行实时监控，还可以将接收到的二次电子以积分曲线的形式显示，所 以更加直观的体现了刻蚀或淀积对象材料变化的情况，对于刻蚀和淀积过程可以精确的监 控，提高了FIB工作的可靠性。 瓦片状金属断头 图I某芯片经选择性刻蚀的1;9面图 75 由于离子的质量大，加速后具有轰击作用， 囚此FIB能够对材料进行刻蚀，在实验 研究中发现，卤素化合物(如XeF2,Cl,等)对多种材料(如Si0z,Si,NGaAs,InP, Au和AI等)的刻蚀具有选抒性。在FIB进行刻蚀时，这些化合物以气体的形式被喷射到 器件表面，在高能锹入射离子和乙次粒子的作用一卜气体分子和被刻蚀的材料被激发成反 应原子团，由真空系统排走，从而实现加速材料刻蚀，这类化合物通常分为加速金属刻蚀 和加速介质刻蚀两类，由此实现了对半导体材料的选择性刻蚀。图I便是一个生动的例子， 由于选择性刻蚀的结果，在横断面上介质被刻蚀掉，而金属呈瓦片状被保留下来。 样品加载台 被分析样品 真空室 化合物气体喷针 二次电子收集器 离子枪 图2.FIB系统实现架构原理图 实验发现某种含 Pt的化合物在离子束激发作用下可以还原出金属 Pt，如果离子束和 含Pt的化合物共同作用于材料的表面就能够淀积金属Pt.此外。FIB系统还能够进行sio, 的淀积。FIB的这些功能使之在IC的可靠性和失效分析中得到成功的应用。实现FIB系 统的架构原理如图2所示。 三、具体应用 1形貌分析:由于FIB能够呈现材料表面形貌图象，所以在没有SEM的情况 图3_某划伤电路局部形貌图 图a某芯片剖面斜视图 二~1