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- 2018-01-01 发布于天津
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图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究.PDF
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究
张超宇 熊传兵 汤英文 黄斌斌 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益
ChangesofmicrozoneluminescentpropertiesandstressofGaN-basedlightemittingdiodefilmgrown
onpatternedsiliconsubstrate,inducedbytheremovalof the substrate andAlN bufferlayer
ZhangChao-Yu XiongChuan-Bing TangYing-Wen HuangBin-Bin HuangJi-Feng WangGuang-Xu
LiuJun-Lin JiangFeng-Yi
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,187801(2015) DOI: 10.7498/aps.64.187801
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.187801
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I18
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