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16基本半導體電子電路 16.1 簡 介 16.2 二極體 16.3 電晶體 16基本半導體電子電路 END! 範例 16.6 決定增益的最大值與最小值 * * * 陳進祥 蘇秋楠 陳曦照 譯 Irwin 原著 滄海書局 出版 矽晶片上的被動元件平面圖 電阻 電容 電感 圖 16.1 週期表 矽為週期表第四欄的元素， 其電流傳導性不佳。 若於矽上摻雜第五欄元素， 則可得n型物質。 若於矽上摻雜第三欄元素， 則可得p型物質。 p型摻雜可產生正電荷載子， n型摻雜可產生負電荷載子。 載子為帶電荷粒子，移動可產生電流 圖 16.2 若在一短距離上摻雜從n型 變化到p型則可形成p-n接面 ，此接面即為二極體 二極體符號 二極體實際結構 接面的p型側為陽極 而n型側為陰極 圖 16.3 二極體之理想模型 當二極體為順向偏壓時，VD為零ID為正值； 當二極體為反向偏壓時，ID為零VD為負值 圖 16.4 實際二極體的電壓-電流特性 在順向偏壓下，指數相有正指數 ，特性是指數的； 在逆向偏壓下，VD為負值， ID將逼近-IS 圖 16.5 固定電壓模型 順向偏壓時，二極體電壓為Von； 當VD小於Von時，不會有電流， 二極體為逆向偏壓 片段線性模型 加入一個串聯電阻rd於固 定電壓模型。 VD達到VF時才有電流， 否則為反向偏壓，無電流 圖 16.6 圖 16.7 二極體模型的電壓-電流特性比較 圖 16.8 二極體在順向偏壓下 二極體在反向偏壓下 順向偏壓 反向偏壓 範例 16.1 使用理想模型決定電壓 使用電源重疊定理 以相似的方式分析過電壓 下頁圖比較三個模型 驅動網路 的戴維寧 等效電路 簡化的假設 當二極體在反向偏壓下 低電壓保護模型的二極體固定電壓模型 低電壓的片段線性模型 使用二極體模型分析保護電路 範例 16.2 範例 16.2(續) 使用非線性二極體模型的分析 上端二極體為開路 Is=1e-14;% MATLAB SCRIPT TO ANALYZE n=1; % UNDER-VOLTAGE Rs=40; vs=[-2:.2:2]; vin=[]; for k=1:length(vs) x0=[vs(k);vs(k);Rs;Is]; kcl=inline(((x(2)-x(1))/x(3)+x(4)*(exp(-39*x(1))-1))^2); x=fminsearch(kcl,x0); vin=[vin;x(1)]; end plot(vs,vin,bo,vs,vin,r), title(UNDER-VOLTAGE WITH NONLINEAR DIODE) xlabel(Source Voltage(v_S)[V]), ylabel(Input Voltage(v_{in})[V]),grid 簡化的假設 當二極體在反向偏壓下 MOSFET的結構 MOSFET的四端、三端圖示符號 氧化物為絕緣體，沒有電 流能進入閘極端； 控制閘級的電壓能夠調整 汲極到源極的電流 圖 16.15 源極、閘極、汲極及基座均接地， 端電壓均為零，電流亦為零， MOSFET為開啟的開關，稱為截止 增加VGS，則n型源極及汲極的負電 荷將集中在閘級底下，形成從源極到 汲極的導電路徑，在通道形成的閘極 到源極電壓稱為臨限電壓VT， 此稱為n通道MOSFET 當VGS再增加時，更多的負電荷增加 MOSFET的操作情形 圖 16.16 若再稍微增加VDS，通道的 電子將被吸引到汲極更正的 電壓，以建立電流 源極端為電子的來源，而汲 極端將電子汲取出來 增加VDS可增加電子移動 速度，使電流ID增加，因此 VDS跟ID呈線性關係； 增加VGS可吸引更多電子， 亦可增加電流 圖 16.17 導通電阻 導通電阻為FET導通時， 源極與汲極間的電阻 線性區：電流與VDS呈線性關係 在線性區，VDS很小。 若VDS增加，ID將偏離此線性曲線。 當電流達到最大值時，稱為飽和區操作 A：截止區 B：線性區 C：飽和區 圖 16.18 BJT的結構 輸出曲線 圖示符號 圖 16.19 MOSFET、BJT比較 超快速/低密度數位電路 微處理機 記憶體 npn pnp p通道 n通道 快速 面積小 電流控制 電壓控制 BJT MOSFET 模擬開關應用 截止時 導通時 圖 16.20 圖 16.21 圖 16.22 模擬放大器應用 MOSFET的小信號模型 因為飽和區的I-V曲線斜率不為0 MOSFET操作在飽和區 圖 16.25 偏壓 決定在I-