钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究.docxVIP

钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究 ＊韩 江 山 ，左然 ，苏 文 佳 ，季 尚 司（江苏大学能源与动力工程学院 ，镇 江 ２１２０１３）摘 要泡生法蓝宝石单晶生长 过 程 中 ，由于生长周期长 、温 度 高 ，热场中钼屏的物理性质和形状都会发生变 化 ，从而引起炉内温场的变化 。 通 过 计 算 机 数 值 模 拟 ，研 究 了 钼 屏 发射率发生变化时 ，泡生法蓝宝石单晶生长中温 场 、流 场 的 变 化 。 模 拟 结 果 表 明 ：随钼屏发射率增加 ，消耗功率也不断增加 ；在放肩阶段熔体 等温线向下移动 ，流 场 也 从 ２ 个涡流逐渐变成 １ 个 涡 流 ；而在等径阶段和收尾阶段 ，这些变化都不明显 。关 键 词泡 生 法 蓝 宝 石 数 值 模 拟 发 射 率中 图 分 类 号 ：Ｏ７８２文 献 标 识 码 ：ＡＮｕｍｅｒｉｃａｌＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＥｍｉｓｓｉｖｉｔｙｏｆＭｏｌｙｂｄｅｎｕｍＳｈｉｅｌｄｏｎＳａｐｐｈｉｒｅＧｒｏｗｔｈｂｙＫｙｒｏｐｏｕｌｏｓＭｅｔｈｏｄＨＡＮＪｉａｎｇｓｈａｎ，ＺＵＯ Ｒａｎ，ＳＵ Ｗｅｎｊｉａ，ＪＩＳｈａｎｇｓｉ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｎｅｒｇｙａｎｄＰｏｗｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇｏｆＪｉａｎｇｓｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｚｈｅｎｊｉａｎｇ２１２０１３）ＡｂｓｔｒａｃｔＤｕｅｔｏｌｏｎｇｇｒｏｗｔｈｐｅｒｉｏｄａｎｄｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆｓａｐｐｈｉｒｅｇｒｏｗｔｈｐｒｏｃｅｓｓｕｓｅｄｋｙｒｏｐｏｕｌｏｓ ｍｅ－ｔｈｏｄ，ｔｈｅｐｈｙｓｉｃａｌｎａｔｕｒｅａｎｄｓｈａｐｅｏｆｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｉｎｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｆｉｅｌｄｗｉｌｌｂｅｃｈａｎｇｅｄ ，ｗｈｉｃｈｃａｕｓｅｔｈｅｃｈａｎｇｅｏｆｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｅｌｄｉｎｔｈｅｆｕｒｎａｃｅ．Ａｃｏｍｐｕｔｅｒｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｗａｓｃａｒｒｉｅｄｏｕｔ．Ａｓｔｈｅｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｓｃｒｅｅｎｅｍｉｓ－ ｓｉｖｉｔｙｃｈａｎｇｅｄ，ｔｈｅｃｈａｎｇｅｏｆｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｅｌｄａｎｄｆｌｏｗｆｉｅｌｄｗｅｒｅｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ．Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔ，ｔｈｅ ｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎｉｎｃｒｅａｓｅｄｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ－ｓｃｒｅｅｎｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ．Ｉｎｔｈｅｓｈｏｕｌｄｅｒｉｎｇｓｔａｇｅ ｍｅｌｔｉｓｏ－ ｔｈｅｒｍ ｍｏｖｅｄｄｏｗｎｗａｒｄｇｒａｄｕａｌｌｙａｎｄｔｗｏｖｏｒｔｅｘｅｓｂｅｃａｍｅｏｎｅｖｏｒｔｅｘ．Ｄｕｒｉｎｇｅｑｕａｌｓｔａｇｅａｎｄｅｎｄｉｎｇｓｔａｇｅ，ｔｈｅｓｅ ｃｈａｎｇｅｓｗｅｒｅｎｏｔｏｂｖｉｏｕｓ．ｋｙｒｏｐｏｕｌｏｓｍｅｔｈｏｄ，ｓａｐｐｈｉｒｅ，ｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙＫｅｙｗｏｒｄｓＡｌ２Ｏ３（ｌ）＝２Ｏ（ｇ）＋Ａｌ２Ｏ（ｇ）Ｍｏ（ｓ）＋Ａｌ２Ｏ（ｇ）＝ＭｏＯ（ｇ）＋２Ａｌ（ｇ）Ｍｏ（ｓ）＋Ｏ（ｇ）＝ＭｏＯ（ｇ）（１）（２）（３）引 言蓝 宝 石 晶 体 以 其 独 特 的 物 理 、化 学 性 质 ，广 泛 应 用 于 军 事和 民 用 领 域 ，近年来更是广泛用作 ＬＥＤ 衬 底 材 料 。 生 产 大 尺 寸 、气 泡 少 、晶 界 少 、位错密度低的蓝宝石单晶 ，是 目 前 业界关注的热点［１］。熔体法生长蓝宝石的主 要 方 法 有 泡 生 法 （ＫＹ）和 热 交 换 法（ＨＥＭ）。生 长 设备最主要的传热方式是热辐射 （大 约 占传 热 的 ７０％），它 对 维 持 合 适 的 径向和轴向温度梯度影响很 大 。由实际物体辐射力公式 Ｅ ＝εσＴ４ （其 中 Ｅ 为 辐 射 力 ，ε为 表 面 发 射 率 ，σ 为黑体辐射常数 ，Ｔ 为 热 力 学 温 度 ）可 知 ，表 面 发 射 率 对 热辐射的影响很大 。 物质表面的发射率取决 于 物 质 的 种 类 、表 面 温 度 和 表 面 的 状 况［２］。 泡生法热场主要 保温材料为钼屏 。因 其 生 长 周 期 长 、温 度 高会导致热场材料 的 很 多 变 化 ，如 挥 发 物 沉 积 、表 面 粗 糙 度 增 大 、钼 屏 塑 性 形 变等 。这 些 因 素 都 会 影 响 钼 屏 发 射 率 。Ｂｕｎｏｉｕ 等［３］推 测 热 场 内 钼 材 料 与 Ａｌ２Ｏ３ 熔体会发生如下的化学反应 ：０这些气体挥发物会不断沉 积 在 钼 屏 上 ，随着开炉次数的 增 加 ，沉 积 的挥发物越来越多 。 挥发物的沉积造成炉内污 染 ，如 覆 盖 保 温 屏 、堵 塞 观 察 孔 、籽