模块七 磁敏传感器及其应用.pptxVIP

模块七 磁敏传感器及其应用 ;一、磁敏传感器概述 ;二、霍尔传感器 ;洛伦兹力fL使电子横向偏移运动，而霍尔电场建立之后又对电子施加电场力fE，电场力的方向与洛伦兹力相反，阻止电荷的积累，最终达到动态平衡，这时fL=fE。;通过以上分析，可以看出： ① 霍尔电压UH的大小与材料的性质有关。一般来说，金属材料n较大，导致RH和KH变小，故不宜做霍尔元件。霍尔元件一般采用N型半导体材料。 ② 霍尔电压UH与元件的尺寸有关。元件的厚度H越小，KH越大，UH也越大，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但太小，会使元件的输入、输出电阻增大，故也不宜太薄。 ③ 当元件的材料和尺寸确定后，RH和KH保持常数，霍尔电压UH仅和IB的乘积成正比。利用这一特性，在恒定电流下，可用来测量磁感应强度B；反之，在恒定的磁场下，也可以用来测量电流I。 当KH和B恒定时，I越大，UH越大，但电流不宜过大，否则会烧坏霍尔元件。 ;（2）霍尔元件的主要技术参数 ;② 输入电阻Rin和输出电阻Rout。霍尔元件两个控制电流极之间的电阻称为输入电阻，用Rin表示，两个输出极之间的电阻称为输出电阻，用Rout表示，单位为Ω。霍尔元件的输入电阻与输出电阻一般为几欧姆到几百欧姆，通常输入电阻的阻值大于输出电阻，但相差不多。;③ 不等位电势U0和不等位电阻R0。霍尔元件在额定控制电流作用下，在无外加磁场时（B=0），霍尔电极间的霍尔电势理想值应为零，但实际不为零，这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势，用U0表示。 产生不等位电势的原因很多，主要是由于两个电极没有装配在同一等位面上所致，也与材料的电阻率不均匀、基片的宽度和厚度不一致及电极与基片之间接触的位置不对称或电接触不良有关。 不等位电势U0与额定控制电流Ic之比称为霍尔元件的不等位电阻，一般用符号R0表示。实际应用中U0和R0越小越好。;④ 灵敏度。灵敏度包括霍尔灵敏度KH和磁灵敏度SB。 霍尔灵敏度KH又称乘积灵敏度，也可用SH表示，它是指霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度作用下输出极开路时的霍尔电压，单位为V/（T·A）（磁感应强度有两个单位，国际单位是特斯拉，符号为T，另一个单位是高斯，符号为Gs，1T=104Gs）。 磁灵敏度SB是指霍尔元件在额定控制电流和单位磁感应强度作用下，输出极开路时的霍尔电压，单位为V/T。 磁灵敏度与霍尔灵敏度的区别在于前者是反映在规定控制电流下，霍尔元件对磁感应强度的检测能力，它仅与磁感应强度有关，而后者是霍尔元件本身所具有的磁电转换能力的参量，一般来说SBSH。;⑤ 寄生直流电势UOD。在不外加磁场时，交流控制电流通过霍尔元件而在霍尔电极间产生的直流电势称为寄生直流电势，一般用符号UOD表示，单位为mV。它主要是由电极与基片之间的非完全欧姆接触所产生的整流效应造成的。;（3）霍尔元件的材料及结构 ① 霍尔元件的材料。霍尔元件的输出与灵敏度有关，KH越大，UH越大。而霍尔灵敏度又取决于元件的材料性质和尺寸，可以证明霍尔系数等于霍尔元件材料的电阻率ρ与电子迁移率μ 的乘积（RH= ρμ ）。只有半导体材料，它既有很高的载流子迁移率，又具有电阻率较大的特点，可以获得很大的霍尔系数，适合用于制造霍尔元件。 ;2．集成霍尔传感器 集成霍尔传感器是利用霍尔效应与集成电路技术，将霍尔元件、放大器、温度补偿电路、稳压电源及输出电路等做在一个芯片上而制成的一个简化的和比较完善的磁敏传感器，由于其外形与集成电路相同，故也称为霍尔集成电路。按其输出信号的形式可分为开关型和线性型两种。 ;当有磁场作用在霍尔开关集成传感器上时，霍尔电压发生器将磁信号转变成电压信号输出，该电压经差分放大器放大后，送至施密特整形电路，当放大后的霍尔电压大于“开启”阈值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使三极管VT导通，具有灌电流（吸收负载电流）的能力，整个电路处于“开”状态。当磁场减弱时，霍尔元件输出的电压很小，经放大器放大后，其值仍小于施密特整形电路的“关闭”阈值，施密特整形电路再次翻转，输出低电平，使三极管VT截止，电路处于“关”状态。这样，一次磁感应强度的变化就使传感器完成了一次开关动作。 ;② 开关型集成霍尔传感器的工作特性。图7-6（a）所示为单极开关型集成霍尔传感器的特性曲线，从中可以看出，其工作有一定的磁滞BH，使开关动作更可靠。 ;（2）线性型集成霍尔传感器 线性集成霍尔传感器的输出为模拟电压信号，并且与外加磁场呈线性关系。从输出形式来看，线性集成霍尔传感器可分为单端输出型和双端输出（差分输出）型两种电路。 ① 单端输出型。典型的单端输出型线性霍尔传感器由稳压电路、霍尔电压发生器、线性放大器和射极跟随器等组成，其简化结构框图如图7-7所示。 国产霍尔传感器CS3501属于单端输出型线性霍尔集成电路