电力电子器件-场效应管.ppt

1.4.3 电力场效应晶体管 分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 1. 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型 特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小 开关速度快，工作频率高 热稳定性优于GTR 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 电力MOSFET的结构（显示图） 2. 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 转移特性, 曲线的斜率定义为跨导Gfs 2)???动态特性 开通过程（开关过程图） 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段 iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定 UGSP的大小和iD的稳态值有关 UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变 ?开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和 ??关断过程 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小的时间段 下降时间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGSUT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 3. 电力MOSFET的主要参数 1)??漏极电压UDS 电力MOSFET电压定额 2)? 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 电力 MOSFET电流定额 3) 栅源电压UGS 栅源之间的绝缘层很薄， ?UGS?20V将导致绝缘层击穿 4)?极间电容 ??? 极间电容CGS、CGD和CDS ? 厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共 源极输出电容Coss和反向转移电容Crss Ciss= CGS+ CGD （1-14） Crss= CGD （1-15） Coss= CDS+ CGD （1-16） 输入电容可近似用Ciss代替 这些电容都是非线性的 ????漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功 率决定了电力MOSFET的安全工作区 ????一般来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题， 这是它的一大优点 ?????实际使用中仍应注意留适当的裕量 * ■ ■ 电力MOSFET的结构 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ *