倒装芯片.docVIP

由于自然界缺乏GaN单晶材料, 体单晶GaN的生长又极其困难, GaN材料的生长主要采用异质外延的方法，通常选用蓝宝石(Al2O3)作为异质外延的衬底。以蓝宝石为衬底的芯片的主要缺陷是：（1）由于蓝宝石是电绝缘材料，所以只能将两个电极都做在芯片的出光面，而电极和焊接点都会吸收部分光，从而导致了出光效率的降低；（2）由于P-GaN层的电导率非常低，为了增加P-GaN的电流扩散，通常情况下，会在P-GaN层表面再沉积一层电流扩散的金属层，这个电流扩散层由Ni和Au组成，会进一步吸收光，从而降低芯片的出光效率。为了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。但是厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在p-GaN 层表面均匀和可靠地扩散电流的能力。因此这种p-型接触结构制约了LED芯片的工作功率。（3）这种结构的p-n结的热量，通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长（由于蓝宝石的热导系数较金属低（为35W / m ·K），因此，这种结构的LED芯片热阻会较大。（4）这种结构的p电极和引线也会挡住部分光线进入器件封装，导致出光效率的降低。 综上所述这种正装LED芯片的器件，无论是功率、出光效率还是热性能均不可能是最优的。于是，在1998年，Lumileds Lighting公司首先提出了倒装芯片（Flip-chip）结构的概念，来解决上述所造成的种种问题。到2001年，该公司的J.J.Wierer等人[1]制备出了倒装结构的大功率AlGaInN-LED。具体的制备过程是：（1）首先通过MOCVD生长外延层。LED的活化区域由InxGa1-xN多量子阱组成,其波长可以通过改变In的含量来调整；（2）在外延片顶部的P型GaN：Mg层上淀积厚度大于50nm的P电极反射层；（3）刻蚀掉部分P型外延层和多量子阱有源层，露出n型层，然后在暴露的n型GaN层上沉积Al基n接触，其中P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；（4）将金属化凸点的AIGalnN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(ESD)的硅载体上。图1是他们制备得到的LED的顶端图片和截面示意图。 这种倒装结构（Flip-chip）的LED有许多的优点： （1）在这种结构中，光是从蓝宝石衬底取出，而非从具有光吸收特性的Ni/Au电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光，这样不透光的电流扩散层可以加厚，以增加倒装芯片的电流密度。（2）活性层中发出的向下的光可以被P电极反射，导致了光取出的增加。（3）这种结构还可以将PN结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底（为145w/mk），这避免了在传统的正装结构中的由于蓝宝石衬底的低散热系数所导致的散热问题。（4）可以通过增加P电极的厚度来增加电流的扩散，取代薄的Ni/Au接触，减少扩散阻抗。 图1 倒装结构的AlGaInN-LED的顶端图片和截面示意图 实验结果表明：与传统AlGaInN-LED相比，倒装焊接LED（FCLED）有着相对大的发光面积和非常好的电学特性：在低开启电压下有着高的电流（200-1000mA），从而导致了更高的功率转化效率。同时FCLED的光取出效率比传统的LED的光取出效率高了1.6倍，比传统的小发光面积的LED（0.07mm2）的光输出量多了10倍。FCLED在蓝光波长范围内的外量子效率是21%，在200mA的时候的wall-plug效率在20%左右，在1A的时候，出光效率为400Mw. 图2给出了大发光面积（0.7mm2）的大功率FCLED和正装LED以及传统的小发光面积的LED（0.07mm2）的LUMENS-current图。测试条件是在直流电下，波长为515nm。传统的小发光面积LED的输出电流峰值为150Ma。它在高电流区发光受限制是因为芯片尺寸小以及封装造成的热阻大。图2中可以看出大功率的LED很容易就能够达到1A，并且没有明显的功率衰退。而与传统的正装结构相比较，倒装结构的LED的效率更高。在200mA的时候是光输出是16~27lm/w.在1A的时候FCLED的光通量是48lm。扩散阻抗也有所改善。FCLED的开启电压是2.95V,而传统正装结构的是3.15V。 图3是正装结构和倒装结构的，在不同的波长下对应的外量子效应。（电流为35mA）。由于热阻不同造成的两者之间的差异，通过脉冲操作的方式减少。我们发现FCLED的外量子效率是正装结构的1.6倍。并且在驱动电流为25-1000mA的时候，他们之间的效率增加值是一个常数。 图4给出了倒装LED输出功率与电流的对应图。这个器件的外量子效率为21%在200mA的时候，开启电压是2.95V。在电流是1A的时候输出功率为400mW，开启电压为3.3V。低的开启电压和好的外量子效率导致