单晶硅电池.ppt

光伏材料：晶体硅片制造工艺 单晶硅电池概况 太阳电池：90%结晶硅，10%薄膜。 单晶硅制造技术：直拉（CZ）法，区熔法（FZ） 理论单晶转换27%，现实17-18%。 控制成本方法： 提高单晶生长良率与产率。 使用生产废料降低原料使用。 降低线切割成本 发展更薄硅片 单晶硅电池优缺点 直拉法单晶硅制造 1917Czochralaki(切克劳斯基)发明，简称Cz法，1950应用到单晶。 该法是利用旋转着得单晶硅种从坩埚的硅熔体中提拉制造单晶硅棒的方法，故又称为直拉法。 单晶原料：破晶片，头尾废料，锅底残料 避免重掺杂硅原料，避免大颗粒杂质。地球上含量丰富 气压控制系统 为了避免SiO在炉壁的凝结，通常是持续通入保护气体氩气（Ar），在Ar的输运下SiO由机械泵抽走 炉内气压远大于SiO饱和蒸汽压，则上述现象更严重 如果炉内的气压为高真空状态，那么SiO从熔硅表面挥发就会出现沸腾的现象，故而导致熔硅的飞溅损失，同时也给单晶的生长带来不便 一般情况下，炉内的真空压力不小于650Pa 石英坩埚作用 石墨坩埚作用 氧杂质来源及去除方法 碳杂质来源及去除方法 直拉法中通入气体？ 通入气体作用 直拉单晶硅制造流程 一、太阳级硅的装料和熔化 装完料后，将石英坩埚放入拉晶炉的石墨坩埚上， 抽真空，并打开充气阀充入一定流量和压力的保护气体Ar，并且是炉内压力稳定在一定的范围内， 开启石墨加热系统，加热到1420℃以上使多晶硅熔化。 二、熔接 三、缩颈生长 四、放肩生长 位错的出现会导致晶体硅棒的外形变化，即通常俗称的“断苞”。 外形变化是判断位错最直观的方法。通常单晶硅棒外型上会有一定的规则的生长条纹（苞丝）和小平面（扁平棱线和棱线），例如，对于[111]方向生长的单晶硅棒上应该有苞丝和三个互成120°夹角的扁平棱线；对于[100]方向生长的单晶硅棒没有苞丝，但有互成90°夹角的棱线。 无位错时，棱线和苞丝应该是连续的，如果出现中断，则说明在该处出现了位错。 位错的出现会导致晶体硅棒的外形变化，即通常俗称的“断苞”。 外形变化是判断位错最直观的方法。通常单晶硅棒外型上会有一定的规则的生长条纹（苞丝）和小平面（扁平棱线和棱线），例如，对于[111]方向生长的单晶硅棒上应该有苞丝和三个互成120°夹角的扁平棱线；对于[100]方向生长的单晶硅棒没有苞丝，但有互成90°夹角的棱线。 无位错时，棱线和苞丝应该是连续的，如果出现中断，则说明在该处出现了位错。 六、收尾生长 在完成等径生长过程后，升高硅熔体的温度，加快单晶硅的生长，使得单晶硅直径快速缩小，形成一个圆锥状而与液面分离。该过程称为单晶硅的收尾。 收尾的目的也是为了避免位错的产生及其反向延伸。 如果不经过收尾过程，则会在单晶硅棒末端中产生热应力，如果热应力超过位错产生所需临界应力就可能产生位错，同时，位错会向上部延伸即反向延伸，延伸长度可以达到硅棒的直径尺度 CZ单晶硅片参数 单晶硅良率 良率指生产出不喊任何缺陷的单晶硅棒能力。 晶颈有效去除晶芯底部缺陷，但仍可出现在晶棒其他位置。 外来异种颗粒来自石英坩埚。 石英坩埚表面涂可以促进方石英均匀细小化的物质（碱金属或其氧化物、碳化物、氢氧化物、草酸盐、硅酸盐，氟化物等） 最合适的是钡离子化合物（偏析度小），Ba(OH)2+8H2O, BaCO3, BaO, BaSO3, 以Ba(OH)2为例： 首先氢氧化钡（Ba(OH2)）在空气中与CO2作用生成碳酸钡（BaCO3）： 在石英坩埚受热后分解为BaO： 然后BaO与SiO2反应形成硅酸钡（BaSiO3）： 碱金属或其化合物（氧化物、氢氧化物、碳酸盐、草酸盐、硅酸盐）也可以起到均匀细化石英的作用，但是考虑到金属杂质的污染而一般不用做太阳电池单晶硅直拉法中。 单晶硅品质控制 硅熔体结晶过程中将发生由液体到固体的相变。 在等温等压过程，系统稳定条件是系统吉布斯函数最小。假如系统G大于最小值，则该系统将通过降低该值而达到平衡，因此G可视为结晶的驱动力 温度为T是固液两相的G可表示为 熔硅结晶时固液界面形状影响单晶硅品质， 界面形状受晶轴或坩埚转速、温度梯度影响。 一般而言，界面为平面时能够生产出较高品质的单晶硅。而固液界面呈现凸或凹的形状时，结晶过程中会产生热应力。如果热应力小于硅的弹性临界应力，热应力会在冷却过程中消除，不会对晶棒产生影响。否则热应力可能导致硅棒内位错产生。 如果固液界面吸热小于放热，界面呈凸，反之，则为凹平面。 虽然增加晶体相对坩埚的转速，有利于径向杂质的均匀分布，但是过高的转速将导致固液界面呈现凹状 晶棒直径与拉速有关，增加拉速，晶棒直径减小，反之，晶棒直径增大。 理论而言，晶体生长速度等于拉速，但是熔体温度变化和熔体减少等因素都会使得晶棒生长速度小于拉速。