四川大学电子信息学院微机原理ppt 5存储.ppt

微机原理与接口技术 第五章 半导体存储器 何小海、严华主编 科学出版社 主要内容 概述（分类、性能、分层、组成等） 读写存储器 只读存储器 存储器与微处理器的连接 高速缓存Cache 虚拟存储器 1.概述 存储器是计算机系统中必不可少的组成部分。 1.1 半导体存储器的分类 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 分类框图 1.1.1 读写存储器RAM 1.1.2只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 1.2 半导体存储器的性能指标 容量 存取速度 可靠性 功耗 1.2 半导体存储器的性能指标 容量 容量是指存储器芯片上能存储的二进制数位数 一般用n×m表示 n表示概芯片有多少个单元，与芯片的地址引脚有关 M表示每个单元可存储的二进制位数，与芯片的数据引脚有关 存取速度 可靠性 功耗 1.2 半导体存储器的性能指标 容量 存取速度 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器输出有效数据所需要的时间，一般以ns为单位 存取时间越小，存取速度越快 可靠性 功耗 1.2 半导体存储器的性能指标 容量 存取速度 可靠性 平均故障间隔时间MTBF衡量 功耗 1.2 半导体存储器的性能指标 容量 存取速度 可靠性 功耗 指每个存储元消耗功率的大小，单位为微瓦/位（μW/Bit）或者毫瓦/位（mW/Bit） 1.3内存分层 1.4半导体存储器的组成 2.读写存储器RAM 2.1 SRAM Cache (SRAM) 一般的单片机系统、单板机系统及早期低档微机均采用 SRAM作为存储器的RAM子系统 2114(1K×4位)，2142(1K×4位)，6116(2K×8位)，6224(8K×8位)… 读写存储器6116 6116引脚和功能图 读写存储器6116 6116工作方式 2.读写存储器RAM 2.2 DRAM 为了降低芯片的功耗，保证足够高的集成度，减少芯片对外封装引脚数目和便于刷新控制，DRAM芯片都设计成位结构形式，即每个存储单元只有一位数据位，一个芯片上含有若干个字。如4K×1位，8K×1位，16K×1位，64K×1位，256K×1位等。 典型的DRAM4164（64K×1 ） DRAM的刷新 DRAM是以MOS管栅极和衬底间的电容上的电荷来存储信息的，由于MOS管栅极上的电荷会因漏电而泄放，故存储单元中信息只能保持若干毫秒。 要求在l~3ms中周期性地刷新存储单元 。 在刷新操作时，刷新是按行进行的。 DRAM接口逻辑框图 3.只读存储器ROM 只读存储器（ROM）的信息在使用时是不能被改变的，即只能读出，不能写入，故一般只能存放固定程序，如监控程序，PC微机系统中的BIOS程序等。 ROM的特点是非易失性，即掉电后再上电时存储信息不会改变。 3.1EPROM EPROM27128（16K×8） 3.2E2PROM 一种可用电擦除和编程的只读存储器。 兼有RAM和ROM的双重特点。 不用从电路板上拔下，就可在线直接用电信号进行擦除，对其进行的编程也是在线操作，因此它的改写步骤简单，其它性能与EPROM类似。 E2PROM 2864A 表5-2 2864A的工作方式 3.3 闪速存储器 E2PROM的改进产品 与EPROM比较：系统加电情况下可擦除和重复编程； 与E2PROM比较：成本低、密度大、存取速度高、功耗小； 必须按块擦除（ E2PROM可以一次只擦除一个字节）； 3.3.1闪速存储器主要特点 固有的非易失性 不需备用电池来确保数据存留 经济的高密度 可直接执行 省去从磁盘到RAM的加载步骤 固态性能 3.3.2闪存类型 3.3.3闪存典型芯片28F040 28F040引脚及结构 G为输出允许信号 E为芯片写允许信号 3.3.3闪存典型芯片28F040 工作过程 三种工作方式：读出、编程写入和擦除 通过向内部状态寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式 表5-4 状态寄存器各位的含意表5-5 28F040的命令字 (a)整片擦除 (b)块擦除 闪存的应用 PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件 新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA） PC机的主板上就广泛采用闪速存储器来保存B