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2018-01-04 发布于浙江
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半桥驱动电路

IMP3211 ISO 9001 Registered 照明半桥驱动电路关键特性芯片描述 ● 专为自举操作设计的浮置沟道，能 IMP3211(S)为高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，为半在600V工作，容忍负暂态电压dV/dt 桥应用而设计的高低侧独立的输出通道。 ● 门驱动电压从10V－20V 专有的HVIC和抗扰CMOS工艺，耐用的整体结构。逻辑输 ● 双通道欠电压锁定输出入与标准CMOS输出有兼容性。提供内部死区时间以避免半桥 ● 下拉的CMOS施密特触发输入直通，浮置沟道能驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，高侧能以 ● 双通道匹配的传输延迟高达600V电压操作。 ● 内部设置死区时间 ● 高侧输出相位与输入一致封装 ● 无铅产品 . 典型连接 Daily Silver IMP 1 IMP3211 ISO 9001 Registered 照明半桥驱动电路内部框图管脚定义和描述符号描述 IN 高低侧驱动器的逻辑输入，与高侧输出HO 同相位 VB 高侧浮置供电 HO 高侧驱动器输出 VS 高侧浮置供电回复 VCC 低侧和逻辑固定供电 LO 低侧驱动器输出 COM 低侧回复 Daily Silver IMP 2 IMP3211 ISO 9001 Registered 照明半桥驱动电路期限参数符号定义最小值最大值单位 VB 高侧浮置供电绝对电压 -0.3 625 VS 高侧浮置供电偏移电压 VB-25 VB + 0.3 VHO 高侧浮置输出电压 VS-0.3 VB + 0.3