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第一章 1、晶体——具有内部格子构造的固体，组成晶体结构的原子呈现一种周期性排列方式，或多种周期性排列方式。非晶体——构成物质的原子杂乱无章的排列，内部质点是呈无序状态分布的物质，如胶状体、琥珀、玻璃等。 2、晶胞：构成晶体的重复性单元。原胞：构成晶体的最小重复性单元。格点：晶体结构的周期性可以表示为点在空间的周期性排列。这种周期性的点的阵列称为空间点阵。点可以称为格点。 3、用斯特藩-玻耳兹曼定律和维恩位移定律估算太阳表面的温度和辐照度 4、势垒贯穿（隧道效应）在经典力学中,若 ,粒子的动能为正,它只能在 I 区中运动。即粒子运动到势垒左边缘就被反射回去，不能穿过势垒。在量子力学中, 无论粒子能量是大于还是小于 都有一定的几率穿过势垒，也有一定的几率被反射。利用量子力学波函数描述的隧道效应，电子可以穿透两个相邻导体之间由间隙形成的禁带。势垒高度V0越低、势垒宽a度越小，则粒子穿过势垒的概率就越大。 5、能带：晶体由大量周期排列的原子构成，这些原子形成三维的周期性势场，允许的能量也呈现出一系列带状结构，我们把这些能量的带状结构称为能带。禁带：相邻的两个能带间有一个较大的能量间隔，这个能量间隔称为禁带。价带：价电子所占据的能带。导带：高于价带的相邻能带。禁带宽度：Eg= EC-EV（EC导带中能量最低的能级或导带的下边界，EV价带中能量最高的能级或价带的上边界，Si: Eg = 1.12eV(电子伏特)） 6、满带：所有量子态都被电子占据了的能带，不参与导电。半满带：只有部分量子态被电子占据的能带，参与导电。空带：所有量子态都没有被电子占据的能带，不参与导电。 7、金属、半导体和绝缘体的能带 8、本征半导体：没有掺入杂质的纯净半导体。本征半导体的能带结构：禁带中无载流子可占据的能级状态。本征载流子浓度：电子和空穴浓度相同n=p。杂志半导体：在本征半导体中掺入五价元素的半导体称为N型半导体，掺入三价元素的半导体称为P型半导体。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 施主杂质与N型半导体 A：T=0K时，施主能级被电子占据时是电中性的，它上面的电子一般不参与导电； B：施主能级上的电子激发到导带的过程称为施主电离； C：施主电离后，导带增加了一个能传导的电子，而施主能级则变成了空能级，空的施主能级带有一个正电荷，称为电离施主； D：导带底EC与施主能级ED之差称为施主电离能ΔED 。 施主的电离和电离能 施主电离：施主向导带释放电子的过程。未电离前，施主能级是被电子占据的,电离后导带有电子，施主本身带正电。电离所需要的最小能量称为电离能,通常为导带底与施主能级之差。 受主杂质与P型半导体 A：T=0K时，受主能级被空穴占据时是电中性的，它上面的空穴一般不参与导电 ； B：价带的电子跃迁到受主能级上的过程为受主电离； C：受主电离后可以向价带提供一个空穴，同时受主能级则被电子占据。受主能级未被电子占据时是电子性的，被电子占据以后就成为负电中心； D：受主电离所需要的能量称为受主电离能ΔEA 。 受主电离和电离能 受主电离：能级从价带接受电子的过程。电离所需要的最小能量即为受主电离能，为价带顶与受主能级之差。 9、本征半导体，N型半导体和P型半导体中载流子的浓度 在N型半导体中：多子：自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；少子：是空穴, 由热激发形成。而且随着掺杂浓度的增加，多子越多，少子越少。 所以，在N型半导体中， 在P型半导体中：多子：空穴是多数载流子,它主要由杂质原子提供；少子：是自由电子, 由热激发形成。而且随着掺杂浓度的增加，多子越多，少子越少。 所以，在N型半导体中 热平衡状态下载流子的浓度满足： 本征半导体中的载流子浓度满足： N型半导体中的载流子浓度满足： P型半导体中的载流子浓度满足： 10、平衡载流子浓度跟费米能级的关系 11、半导体中载流子的迁移率：迁移率是用来描述半导体中载流子在单位电场下运动快慢的 物理量 12、杂质的补偿作用： 13、欧姆定律的微分形式： 14、杂质半导体的电导率： 载流子的漂移速度： 15、非平衡状态：如果对半导体施加外界作用(光, 电等)，迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。 半导体处于非平衡状态时，就不再存在统一的费米能级。引入 导带费米能级 电子准费米能级(EFn) 价带费米能级 空穴准费米能级(EFp) 第二章 1、 2、 3、理想PN结 （1）小注入条件：即注入的非平衡少子浓度比平衡多子浓度小得多； （2）耗尽层近似：即外加电压都降落在耗尽层（势垒区）上，耗尽层以外的半导体是电中性的，因此注入的少子在 P区和N