水热合成ZnO纳米带研究.pdfVIP

枷‘第五眉中量(■彝，蝻米科技西安崭讨套敞囊 h眦∞曲啦缸产№舶叫m岫憎埘喊岬№舯·d·删∞t‰咖l羚Ⅺ’蛐∞帕 水热合成ZnO纳米带 翼伊1，胡陈果‘，韩向宇1，熊玉崦2，苗静1。曹春兰3 j (1．重庆大学应用物理．重庆，4000,．) (2．国家纳米科学中心。北京，lo0080) (3．重庆通讯学院物理系。重庆，400035；) 擅要：采用水热法成功合成了ZnO蚋米带，井，}锥了夸成纽。蚋泰母的赛■过曩墨生长机疆。X印罐表明馥墒拳带 A．SEM图表明谊ZnO纳米带的长度大约 六方晶系蛄构，格点对称群为P黾mc086)，格点参数a=3．249A，C．m5．5052 为50微米、宽度为50-500蚋米，厚度为20．30纳米．TEM图表明蚋米带沿c轴方向生长． TEM 关键词l水热法ZnO蚋米带xRDSEM O引言 近年来，随着科技的发展．人们对高效率的半导体材料的需求越来越多，对其合成也更为关注。目前，ZnO是一 种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料．它是II-VI族半导体纯合物．在结构上有六边形纤维矿结构和立方 光电效应．在压敏、光催化、光电极、场发射、太阳能电池、化学传感器、表面弹性波滤波嚣等领域已经广泛应 用””1。如今，通过熟蒸发、襁射法、水熟法、共沉积法”“”等一系列物理和化学方法．能够得判纳米棒、纳米线、 纳米管、纳米弹簧、纳米梳子等一维或者准一维ZnO纳米结构““。这些ZnO纳米结构有着独特的发光性质、电学性质 之一。由于一维或者准一维的ZnO纳米带纳米线的结构不同，因此产生的量子效应等性质也不同。ZnO纳米带以其统 一的几何尺寸、较少的线形缺陷，在纳米器件的制作中独占鳘头，被制作成纳米场效应管、纳米二极管、纳米激光器、 纳米悬臂、纳米传感器等纳米器件“…1。本文采用化学方法(水热法)。1合成出长约为50u口，宽约为50～300m， 厚度20～3011ln的纳米带，并且用xlio、s脚和TEM图象对它的形态和生长方向进行了较好的分析。 1实验 用14．879Zn(NO，)．6如0、409NaOH及一些去离子水配制成100mL碱性溶液，其中[z一+]=0．5md·L～，[0H]= 10．0 60． 然后对溶液进行超声20～40 小时之后取出，自然冷却至室温。用离心机离心分离5min，速度5500r／min。将上面的溶液倒出，然后用无水乙醇 和去离子水对剩余的白色晶粒沉淀进行清洗，再将其烤干收集。 2实验结果与分析 2，1样品鉴定 为了鉴定实验生长的白色粉末的成分，对该粉末进行了xIlD测试(如图l所示)。实验结果袭明，该粉末是ZnO晶 ·196· 黟继触 2006第五届中重(目际)纳米科技西安研讨会论文集 ProeeediⅡgs缸矿N岫眦Ⅺn岫啪n|DNumdeuee＆Technology,Xi’蚰2006 对称群为P6∞c(186)，格点参数a=3．249A，c=5．5052^。 29 图1 ZnO蚋米带的XRD图 2．2SEN形态分析 通过SEM观察(结果如图2所示)。可以看出，该实验生长的样品为Zn0纳米晶体，它的形状是带状，长度大约为 50u m。 m，宽度为50—500m，厚度20—30 围2ZnO纳米带的SEM图象 2．3TEM形态分析 图3 ZnO蚋米带的TEM图片