单晶连铸过程初始阶段引晶速率的研究.pdf

[ 单晶连铸过程初始阶段引晶速率的研究 彭立明 温宏权 毛协民 徐匡迪 (上海大学材料科学与工程学院，上海,200072) 摘 要 经验表明，在O.C.C法单晶连铸过程初始 阶段，引晶杆的牵引速率是一个逐步加速的过程.本 文从理论上初步探讨了引晶杆牵引速度的变化规律， 推导出了一组比较通用的引晶速率曲线;实验验证采 用计算所得的速率曲线进行牵引，可以保证单晶连铸 初始阶段的穗定过渡，获得优质单晶线材。 关键词 O.C.C法 单晶连铸 引晶速率 稳态生 长 引 言 单晶铜线材是在电子、通讯、音响器材领域有着 重要用途的新型材料It].O.C.C法是金属单晶连续 制备的一种工艺方法。在O.C.C法的初始阶段经常 容易产生金属液池漏(水平连铸)，或者铸坯冻结在结 晶器内，或者铸坯在结晶器外拉断(上引连铸)的现 象。快速地通过引晶及选晶初始阶段(非稳态生长阶 段)，进人单晶稳态生长阶段是解决这些工艺难点，获 得高质量、低成本的单晶型材的必要条件。实验表明， 在O.C.C法单晶连铸过程的初始阶段中，引晶杆的 牵引速度即引晶速率应是一个逐步加速直至稳定的 图I 结晶器及凝固过程示意图 过程.但其加速曲线的制定均是凭经验进行的，具有 FigITheschemeofSCCCandsolidification 较大的盲 目性和重复性 本文从理论推导出了初始阶 1.结晶器 2.熔体 3.S/L界面 段引晶杆牵引速率的公式，并以此指导实验获得较好 4.S/S界面 5.冷却水6.引晶杆 的效果;讨论了该公式的适用性。 十 了 S 及 k民1一k,GL=p,L声， (1) 2 初始阶段的凝固传热模型 2 ! S / S 2 kG 一ART,一Tm,R-,T., 上引OCC法单晶连铸的结晶器及凝固过程示意’ 1 k民，一pRT,一Tm,R-Tmz(3) 图如图I。在抽拉开始时，由于室温的引晶杆与熔融 k.,,k.,,k,,— 分别为铸坯、引晶杆和金属液的 金属液在引晶杆端面接触、冷却至凝固，形成一个固/ 导热系数; 固面，必然存在一个界面热阻，记为Rs。在引晶进行 G,,,G.,,G,,一分别为铸坯、引晶杆和金属液的温 过程中，对引晶杆保持喷水冷却以使晶体生长能稳定 进行，喷水冷却是引晶杆的主要传热方式，同时在结 度梯度; p.一铸坯的密度; 晶器外进行惰性气体保护，也有一定的导热作用，但 这种导热作用较弱，可以忽略不计。因此在铸坯牵引 L一铸坯的凝固潜热; 凝固过程中固/液(S/L)界面及固/固(S/S)前沿温度 V，一晶体生长速度(S/L界面推进速度); 分布如图2所示. R一固/固界面热阻; 因此，各界面上的热平衡方程式为R[1 T.,,T‘一分别为固/固界面上铸坯和引晶杆侧 温度。 并且，在本文中采用了以下基本假设: f功能材料》增刊 1998.30