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单粒子效应数值仿真技术研究 曹 洲 (航天工业总公司五院五一0所 兰州市九十四号信箱 730000) 翻户 摘 要 本文评述了星、弹用电子器件单粒子效应 (SEES)计算机数值仿真方法，盆点介 绍了期望值模型仿真方法，PRICE.DAVINCI等电子器件仿真器的特点及在单粒子效应仿真研究中 ..w 的应用.并对开展这项研究工作提出了具体建议，认为针对静态存储器 (SEAN》开展翻转截面曲 线的数学仿真研究有一定技术基础，期望在一定试脸数据荃础上，计算获得翻转截面曲线:另外， 建议从国外引进或自行研制大型单拉子效应数值仿真软件系统 (仿真平台)，开展单粒子效应对电 路特性影响的仿真研究工作。 关键词:单粒子效应，计林机仿真.棋型，仿弃平台 引言 近些年，人们对航天器电子系统面临的单粒子效应((SEU)进行计算机数值仿真 的重要性之认识己显著提高，并已将许多研究成果迅速而广泛地推广到型号设计及 工程应用部门。毋庸讳言，此类研究我们与国外先进水平相比尚有很大差距。所以 必须尽快采取有力措施，在调研国外最新研究成果的基础上，选择适当途径，积极开 展这方面的研究。使我国在该领域的研究水平能适应我国空间技术快速发展的要 求。 洲尸 2.数值仿真的基本方法 2.畜采用期望值 (几率)模型的数值模拟 铺户 人们通过加速器产生的高能重离子实验，研究存贮器单元的单粒子翻转((SEU) 机理.业己花费了大量的人力物力。试验结果通常都以一条翻转截面曲线给出，即 翻转截面。(每单位通量所测到的翻转个数)随有效LET值(离子的线性能盆传输值 (LET)除以入射束流与芯片表面夹角的余弦值)的变化曲线。这些测量曲线的重要性 反映在两个方面: R.可以借助它们对SEU的基本机理有更深入的理解: 、.、才 曹洲， 单粒子效应致值仿真技术研究 b 可用其评价和预示电子器件在空间辐射环境中的易损性。 期望值模型(亦称几率模型)的数值模拟是将单个重离子诱发的翻转视为一个随 机过程，用统计规律来解释和理解翻转截面曲线形状的变化。然而，到目前为止仍 没有一个完善的通用模型，用以说明翻转截面曲线形状与能量沉积过程和存贮器单 元阵列响应随机现象之间的统计规律。 在假定一个存贮器的所有单元都全同的前提下，使用单能离子束测量其单粒子 翻转时，可望产生一个阶跃式翻转截面曲线。基于这种简单描述，曲线上从零到最 大翻转截面转换点应对应一个有效LET值。该值使入射离子在某单元敏感区域中正好 产生足够的电荷而引起该单元位状态发生变化。但是，实验结果表明，从零到最大 截面的转换处，有效LET值轴向存在一个令人吃惊的宽度，并且因器件工艺上的差别， 该宽度还表现出很大差异。这正是人们对翻转截面曲线特征不断探索并由此引起许 多争论的缘由. 第一个相对完善的重粒子SEU截面曲线的模型是M.A.Xapsos等人于1993年提出 的(简称HICUPI)，该模型的建立主要考虑了导致重离子翻转截面曲线偏离理想阶 跃函数特性的所有重要机理，依据入射重离子在存贮器单元内产生电荷沉积的概念， 考虑了: a.单个入射离子在基本单元中引起电荷沉积过程的一些随机效应，其中包括离 子能量沉积过程的统计效应和离子穿过单元时的路径长度的几率分布; b.单个入射离子产生的电荷引起内存响应之变化规律。 这种方法，把依赖于LET的敏感体积大小问题和由于工艺过程造成单元间对SEU 有不同的敏感度问题放到一起共同考虑。为了避免有效LET概念使用的含混不清，已 把描述电荷沉积过程和存贮单元响应的几率关系均表示为存贮单元中沉积电荷的函 数。所以该模型在单向、单能离子束入射的条件下，给出了SEU截面的一