期末复习 - 20090317132237.pptVIP

期末複習 電子夜四技4A Question 1 試述離子佈植(ion implantation)與雜質擴散之主要異同？ Answer 1 離子佈植 雜質擴散 利用加速離子將雜質導入 利用高溫擴散將雜質 原子導入 可分別控制植入深度及濃度 無法個別控制濃度及 深度 具有單向性 無方向性，會有水平 擴散 Question 2 Ion Implantation 後為何要作Annealing 處理？為何RTA較傳統高溫爐優？ Answer 2 離子和晶格原子碰撞並且將晶格原子敲離開晶格的束縛，基片的佈植區變成非晶態結構。 Annealing 處理可從高溫獲得的熱能，幫助非晶態原子復原成單晶體結構。 在高溫下，退火的速度遠高於擴散， RTA可快速 (小於一分鐘)退火, 可得到較好的晶圓對晶圓的均勻性, 較佳的熱積存控制, 和摻雜物擴散的最小化。 Question 3 儘你所知試述正、負光阻的異同，何者經光照後會溶解在顯影劑中？何者的影像解析度resolution較優？為什麼？ Answer 3 負光阻 曝光的部分變成交連聚合體，不被顯影劑溶解而留下。 聚合體會吸收顯影劑而使光阻膨脹(swelling) ，使得解析力不好。 負光阻的圖像和光罩上的圖像相反 價格較便宜。 正光阻 曝光過程會分解破壞光阻交連結構，使曝光的部分溶解於顯影劑。 解析力較高 正光阻的圖像和光罩上的圖像相同 價格較貴 Question 4 請分別敘述太厚或太薄的光阻各有何優缺點？ 在製程上如何控制光阻的厚度以達到最佳效果？ Answer 4 光阻薄膜越薄，解析度越高 ，但出現針孔機率增加，對抗蝕刻、離子佈植的遮蔽能力較差。 光阻薄膜越厚，出現針孔機率較少，對抗蝕刻、離子佈植的遮蔽能力較優，但所需曝光時間較長，需要更強曝光光源。 可用spin coater轉速及光阻濃稠度來控制光阻厚度。 Question 5 請寫出四種不同的Mask Alignment 方式，以何者resolution 最好，何者Mask 壽命最短？ Answer 5 接觸式印像機：Mask 壽命最短 鄰接式印像機 投影式印像機 步進機：resolution 最好 Question 6 何謂Phase shift Mask？有什麼好處？其作用原理為何？ Answer 6 Question 7 試述Photolithography 所用光源波長與解析力及景深的關係？如何改善其解析力？ Answer 7 改善解析度 增加數值孔徑 較大的透鏡，造價昂貴且不實際 減少景深並且建構困難 波長縮短 需要發展光源, 光阻和設備 波長縮短的限制 紫外線到深紫外線, 到極紫外線, 進而到X光 減少 K1 相位移光罩 Question 8 何謂plasma etch？何謂wet etch？何者較適用於isotropic etch？何者較適用於anisotropic etch？ Answer 8 電漿是有等數量正電荷和負電荷的離子氣體，利用電漿產生自由基和離子對晶圓轟擊而得到的蝕刻效果，稱為plasma etch. plasma etch為一種氣體進，氣體出的蝕刻製程，其蝕刻形狀(profile)可控制從非等向性到等向性。 Question 9 何謂etch selectivity？用來etch SiO2的主要化學溶劑是什麼？ Answer 9 選擇性是指不同材料間的蝕刻速率比率 Buffer HF 或 diluted HF Question 10 何謂STI (Shallow Trench Isolation)？其在CMOS製程的作用為何？與LOCOS比較，其優點為何？ Answer 10 Question 11 試用圖解方式說明何謂undercut？其對VLSI製程的resolution 有何影響？ Answer 11 Question 12 何謂Mean Free Path？Plasma 機器設計常增加磁場之設計，其目的為何？ Answer 12 M