低能离子束沉积碳膜的高温生长机理.pdfVIP

2000年 10月 ·广西.北海 第七届全国固体薄腆学术会议 低能离子束沉积碳膜的高温生长机理 廖梅勇刘志凯 张建辉杨少延柴春林 秦复光姚振钮 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 ，北京 100083 摘要 在高温下用低能离子束沉积了非晶碳膜，用原子力耳琳彝·mR=a 谱，俄歇深度谱 对其生长机理进行了研究。 引言 自1971年 Aisenberg和 子享沉积的thwo性质类似金刚石以来 类金刚石膜引起了人们的广泛兴趣’一气’因为它有 度，低的摩擦系数，很好的化学 稳定性以及低的电子亲和势。实验证明，在低温下用 子束生长的碳膜可含达90%以上 的四面体键。对于碳膜的低温生长机理，人们已经进行了广泛的研究。一般认为类金刚石 的生长应该遵循以下机理:外来离子浅注人到基片，使基片原子脱离晶格点，并占据母体 位，从母体内部往外生长’。对于高温下碳膜的生长机理，人们探索得很少。研究离子束沉 积的碳膜的高温生长腿 ，不仅有利于说明碳膜高温生长的施丙M,而目可对金刚石a 膜的偏压成核机理提供侧面的说明。 质量分离的低能离子束沉积技术可以准确地控制离子的种类，能量，以及离子的剂量。 该技术为研究碳膜的生长机理以及其性能随外界条件的变化提供了极为有力的手段，是其 他离子束沉积手段无法比拟的。本文用能量为l00ev单束碳离子在高温下沉积碳膜，并对 其生长机理进行了探讨。 之 实验 所用实验设备为我国自行研制的低能离子束外延沉积机。该设备主要由离子产生源， 质量分析器，减束透镜，沉积室以及真空系统等部分组成’。真空度可以达到2X10-Pa. 所用衬底为低阻P-Si(111)。首先经四抓化碳清洗，再分别用丙酮、乙醇和去离子水 超声处理十分钟，最后用5%的HF酸漂洗2分钟去除氧化层，立即送人靶室以减少污染。实 验沉积条件如下:碳离子能量为l00ev，衬底温度为8000c,剂量为5X10cm。所得样品 用原子力显微镜 (AFM)，Raman谱，以及俄歇谱 (AES)在表面以及不同的深度进行了分析。 结果和讨论 图一为样品表面的形貌图，表明表面粗糙，颖粒大小约300nm,Lifshitz认为离子柬 沉积中，碳离子将注人到衬底次表面，并以衬底为模板形成由内向外的生长模式刀。这一直 被认为是碳四面体键形成的原因。而在高温下，注人的离子将会因为有足够的能里返回到 表面。我们知道离子注人到薄膜中会产生间隙原子，这导致薄膜由衬底往外膨胀，从而在 膜中产生压应力。但是薄膜的表面是自由面，低压下，石墨是稳定态，而金刚石为亚稳态， 因此可以预言膜的表面将是SP，成分。恰恰是这些SP，的成分导致了粗糙表面的形成，。 图二的Raman谱进一步证实了样品主要由石墨成分组成。在1352c耐处的峰和159。二一处‘的 峰分别来自石墨的中心激发模式和边界激发模、它们是徽晶石墨的反映。 理论上讲，高温下离子束沉积的碳膜，是可以生成金刚石颗粒的。因为离子注人到薄膜 表皮下可以产生很大的应力，这种应力可以达到将近1OGpa，从石墨和金刚石的相图可以 么盆幻年1吞月 。广西。北海 第七届全国固体薄腆学术会议 图一 样品表面的原子力显微镜形貌图 封断，牵月师铆粒理抢上是可以存在的。遗撼的是到目前为止，从没人用证明金刚石存在 的级有力的~ 谱观察到过，但这并不能排除金刚石顺粒的存在。未能观察到的原因是 因为石只碑夕单称粤界禅因子是金刚石的““倍或者金刚石颗粒太小·实际上用离子轰击形 成的碳膜中的金刚石顺粒稀疏分布于非晶碳中。，‘即便是用高分辨率电镜也不容易看到。我 们推洲金刚石颗粒可能镶嵌于5材成分之中，并且用AEs深度谱进行了观察。因为由前可知， 离子束高温沉积的碳膜表面必定是Ps，成分，用一般的表面技术无法探测到其内部的结构。 AEs谱的线形可以表明碳的各种结构种类，结合深度谱，可以判断碳归属于何种 2.1 含 . 。 ‘