利用加速器重离子进行SRAM单粒子效应的研究.pdfVIP

第，届全国核电子学与核探润技术学术年会论文集 Procesclingsof加9htNatoinalConferenceonNuclearElectronics乙NuclearDetectionTedudm 利用加速器重离子进行SRAM 单粒子效应的研究 张正选12李国政1罗晋生，陈晓华1姬琳1王燕萍I巩玲华3 (西‘北核技术研究所，西安，710024) (西安交通大学，西安，710049) (3北京大学，北京，100871) 本文报道了利用北京大学申列静电加速器提供的Y离子对两类静态随机存佑器进行单粒子效应的研 究.给出了两类静态随机存褚器的单较子效应翻转截面随线性能f传翰值(LEI)的变化关系曲线. 1 前言 自从1975年Bind.研究小组c[11观寮到通信卫星的致字电路JK触发器由于单个重核粒 子的作用被触发而出现器件逻辑状态的变化.后来又陆续观侧到阳瓷管壳所含的徽量反射性 同位数铀和牡放出的a粒子以及宇宙射线中存在的高能中子及质子都能引起器件产生单粒子 翻转.从此，对单拉子效应的研究工作引起人们的足够盆视。随粉更大规模的集成电路在通信 卫星上的应用，单粒子效应对在轨运行的卫星和航天器构成的危害越来越大.静态随机存贮器 (SRAM)在星载计算机中的普进使用，有必要对其单粒子效应的机理及其加固技术进行深入 的研究。 国外早在-1i年代初就开始进行静态随机存贮器的单拉子效应的研究工作.研究工作主要 是利用加邃器提供的各种盆粒子对静态随机存贮器的单狡子翻转截面进行甜jua1.国内研究 人员从 1,年代后期开始，先后开展利用UCf裂片、高能质子及中子进行静态随机存贮器的单 粒子效应的研究工作Us3.本文主要介绍我们利用北京大学重离子加速器开展的.态随机存 储器((SRAM)的单拉子效应的研究工作。 2加速器贡离子束及实验安排 本次实脸是在北京大学f离子物理所2X6MV串列静电加速器上进行的。图1给出该加 速器及单较子效应实脸布局图. 该加速器是从英国牛津大学引进的一台由HVEC公司生产的EN塑申列静电加速器， 1991年安装调试成功.在该加速器上进行了一系列改进工作，并开展了大2的物理实验工作， 建立了一些有特色的分析方法.][。为进行电子器件单位子效应侧t实脸，要求入射的重离子在 器件具有足够的射程(10Wm)和LET值((1^-2MeV/(mg.cm-)以上)，才会发生单位子效应 和有足够的统计。为此，要求更宜元素的里离子和尽可能大的电荷态，宜离子的能t才会更高。 根据这个要求，北京大学主要在离子泳上作了改进，调试了固体剥离器，提供了电荷态更高的 C,O,F,Na,Si,C1,Br等离子。 23 由于重离子的单粒子效应截面很大，打在器件灵敏结上的重离子几乎百分之百地产生单 粒子效应，因此即使重离子束流降低到3^-30pA，直接辐照器件也会发生剂“I率效应”和“多 次翻转效应”而不能得到真实测f结果.为此，采用厚~150Leg/cm，金箔散射法使入射到器件 重离子束流降低四五个量级以上，此时器件里于与初始束成45,方向一定距离上(见图1)且垂 直入射到被照芯片上，由于金质t数远大于离子质A致，并且金佰足够薄，徽射的重离子能量 较初始离子能蚤变化很小。 金依封枯 金硅面垒 IC粗皿板 探侧粉-‘ 日1北京大掌盆离子加速荟Sxfj实脸布局 3CMOS器件的单粒子翻转及实验测t 1)CMOS器件的单狡子翻转((SEU) 高能狡子入射CMOS器件可以引起器 件的逻辑状态的改变GI.图2示出了CMOS SRAM单元内单较子翻转灵敏区和位于径 迹。图中灵敏区为