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Bi203对高磁导率MnZn铁氧体显微结构及
磁导率的影响
陆明岳,陈茂勇
(浙江春晖复合材料有限公司 1
浙江上虞32300)
l 引言
近年来,随着以ISDN、LAN、个人计算机和工作站为代表的各种电子设备的小型化、
高效率化的不断进展,要求电子元器件也相应小型化、薄型化。以LAN、MODEM等设备
中用的传输变压器为例,目前使用的是以装配高度在4mm以内的薄型变压器为主流,这就
需要研制比过去材料更高的高磁导率铁氧体材料。此外,高磁导率特性的铁氧体材料制成
的脉冲变压器、共模扼流圈等主要用于各种通信、传输设备的信号传送系统。
本研究通过向高磁导率MnZn铁氧体材料中引入Bi20B及M003等氧化物,并严格控制烧
结工序温度曲线与气氛曲线,获得ui高达28000,Tc,125。C的高磁导率MnZn铁氧体材料。
2实验过程
采用氧化物法湿法工艺,原材料按下列配比,Fe203:52.3m01%.MnO:25.6m01%:
ZnO:22.1m01%,经…·次球磨后烘干,在850。C预烧2小时,然后经二次球磨(其中加人
4~6小时,烧结及冷却过程中严格控制氧含量。
LCR表测量,密度用阿基米德原理测量,饱和磁通密度
磁环的磁导率通过HP4284A
和矫顽力则通过磁通计SY一8232B—H分析仪测量,用电子显微镜SEM观察显微结构。
3结果和讨论
图1显示的是磁导率ui随Bi203加入量的变化(其中M003的加入量固定为0.06wt%)。
由图中可以看出,在Bi203含量为0.02wt%左右时,可以获得最大磁导率。随着Bi203
含量的进一步增加,磁导率ui逐步下降,到JJnek量为0.1wt%时,磁导率到达最低值,此
后随着Bi203加入量增加,lJj略有上升。这一机理有待于进一步研究。
i的机理,已有不少学者对此作了深入研究m21,~般
有关Bi203能提高材料起磁导率la
认为,Bi203的加入,加快了晶
界及气孔移动速度,促进了晶粒 撕
生长‘3一。 黼 厂\
图2为Bi203加入量分别为 啪 /\’…
0.02wt%,0.08wt%铁氧体磁芯表
面SEM照片。显然,当Bi203蝴 『+~一一弋~一·……,……——…—”一——…—~
加入量为0.02wt%时,能有效促 蝴 ~’
进磁芯致密化和晶粒生长(磁芯 跚 \ 二
密度最高可达5.0599/cm3)。而当 \.∥一中7
Bi203加入量超过0.08wt%时,磁 。
芯表面将变得非常粗糙,并出现
图1 i的影响
很多空洞和气隙,估计是由于 Bi203加入量对磁导率u
ZnO和Bi203的挥发引起的。
以看出,加入0.02wt%Bi203的铁氧体磁芯晶粒大小均匀,气孔均集中在晶界处或三晶交汇
点。而当Bi203加入量为0.08wt%时,则整个磁芯几乎变成一个单晶,在照片上出现很多气
孔以及带状线。
(a) (b)
图2加有不同Bi203量的铁氧体2铁氧体磁芯表面SEM照片
(a)0.02wt%Bi203;(b)0.08wt%Bi203
·67·
LaJ (叫
图3加有不同Bi203量的铁氧体2铁氧体磁芯断面SEM照片
(a)
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