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基于β-氧化镓的深紫外纳米光探测器
基于低维β-Ga2O3 深紫外探测器;汇报内容;相关背景;深紫外(DUV)： 280 nm;相关背景;相关背景;汇报内容;Eg(ev)=1240/λ(nm);材料;材料选择;汇报内容;文献调研;Group ;文献调研;与ZnO相反，β-Ga2O3纳米线电子浓度极低使其受O2吸附-解吸作用所造成的影响很小;Number;文献调研;文献调研;文献调研;该探测器的各方面性能均有较好的热稳定性可在恶劣环境下工作;参考文献;谢 谢
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