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第21卷第6期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．21，No．6 HIGHPOWERLASERAND 2009年6月 PARTICLEBEAMS Jun．，2009 文章编号：1001-4322(2009)06—0906-05 双边二次电子倍增效应分析‘ 应旭华， 郝建红， 范杰清 (华北电力大学电气与电子工程学院，北京102206) 摘要： 根据高功率微波源相互作用腔结构。建立了一种双边二次电子倍增效应模型。采用概率统计和 蒙特卡罗模拟方法，计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律。分析了射频场参数和结构参数对二次电子倍 增效应的影响。结果表明：高频场比低频场更容易发生二次电子倍增效应；二次电子倍增效应的时间演化与射 频场的大小和腔结构呈非单调关系，且电子掠入射时比正入射时的共振区域要大得多，这与理论分析的结果一 致。 关键词：双边二次电子倍增效应；敏感曲线；二次电子；共振区域 中图分类号：0462．2；0411．3 文献标志码：A 在高功率微波源和加速器中，脉冲缩短是一个普遍存在的问题[1-3]。脉冲缩短限制了脉冲能量的提高，制 约了高功率微波源和加速器的发展。造成脉冲缩短的重要原因之一就是二次电子倍增效应。二次电子倍增效 应是～种电子在射频(RF)场作用下撞击金属表面并释放出大量二次电子，由此而引起的一种雪崩效应，这不 仅导致大量等离子体出现，而且还可以使器壁表面温度升高，噪声增大和击穿，对器件形成毁灭性损害。所以 研究二次电子倍增效应，在了解其演化规律的基础上提出有效的抑制方案，是研究脉冲缩短的一个重要工作。 一般情况下，二次电子倍增效应分为单边和双边两种模式[4‘5]。双边模式是指电子在RF场的作用下从一 个金属表面离开，经过半个RF场周期打击相对的另一个金属表面，如此来回在两个金属表面之间相互撞击产 生二次电子倍增效应的模式。如图l所示。单边模式是指电子在RF场作用下从金属表面离开，由相对论电子 属表面产生二次电子倍增效应的模式，如图2所示。 层工 l l 毋工 [二t--0：!：．[二：：． !t2T]] One-surface Fig．2 multipactor 图2单边二次电子倍增效应 在微波器件和加速器结构中，双边和单边二次电子倍增效应都有可能发生。但不同的结构类型可能更有 利于某种模式二次电子倍增效应的发生。一般情况下，介质表面有利于单边模式的二次电子倍增效应，而两个 金属电极(或金属壁)之间则有利于双边模式的二次电子倍增效应。对于传统的慢波器件(如行波管和返波 管)，其微波产生结构中的褶皱或波纹相互作用腔以及一些射频窗口等，次级电子倍增效应过程中都存在着双 边二次电子倍增效应发生的机制和结构条件。本文建立了一种双边二次电子倍增效应模型，讨论、分析和计算 了其敏感曲线和二次电子的时间演化规律。 l 动力学理论及二次电子倍增效应模型 在微波器件、射频窗口或加速器结构中的波束相互作用腔中，当腔半径远远大于振荡幅度时，我们可以将 其简化为如图1所示的平面。相对论电子柬在径向RF场E。，=E啪sin∞珀勺作用下，由器壁的一个表面出发撞 ·收稿日期：2008—06—19；修订日期：2008—11．28 基金项目：国家高技术发展计划强辐射重点实验室基金资助课题 作者简介：应旭华(1984一)，男．浙江东阳人，硕士，研究方向为电子科学与强辐射理论；xuehuall27(孕163．COFll。 万方数据 第6期 应旭华等：双边二次电子倍增效应分析