高品质NdYVO4晶体生长研究.pdfVIP

高品质Nd：YV0。晶体生长 郑东阳杨坤涛吴喜泉 华中科技大学光电子工程系，武汉，4300074；福建华科光电有限公司，福州，3500014 摘要本文介绍了液相合成Nd：YV04原料的制备，对单晶生长，掺杂分凝效应作系统研究，成功地生长出的大 尺寸优质由30--35×30mmNd：YVO．单晶且剩料可重复使用lO次左右． 关键词激光晶体。Nd：YVO。引上法晶体生长．晶体形态 中图分类号：TN244 文献标识码：A 1．引 言 Nd：YV04晶体受到关注的原因之一是作为激光基质材料其发射截面比Nd：YAG大4倍；泵浦阈值 低可实现1．34p mII m和1．06pJ12J激光连续输出等优点，但其生长工艺困难，易破碎。解理和分解。此 外热导率低特别是用于高平均功率闪光灯泵浦很成问题，因而该晶体在80年代以前未能获得发展， 80年代以来，随着激光二极管(LD)泵浦固体激光器的发展和晶体生长条件的改善，Nd：YVO。晶 体又重新受到重视。90年代初，由于激光二极管(LD)研究取得长足进展，LD有可能作为微型全固态激 光器的泵浦源付诸应用，学术界和企业界对具有低泵浦阈值和优良激光特性Nd：YVO。晶体重新给予了 法生长Nd：YV04晶纤获得成功，但直径只有零点几毫米，离实际应用尚有医离。 90年之后的几年内，Nd：YVo。晶体生长取得了突破性进展，国内外对该晶体及其激光器的研究骤 然升温。目前，Nd：YV04晶体和器件均已商品化。 我们自1995年以来，对Nd：YV04单晶的生长和性能进行了系统研究。 2．试验与结果 2．1多晶料合成 合成一定配比的Nd：YVO。多晶作为生长单晶的初始原料是获得高质量单晶的关健之一。我们设计 该合成工艺规程的基本思想是防止出现组分的非一致挥发和避免吸附水参与化学反应。实际操作中，对 研细并混合均匀的初始试刑采用了不同温度及不同压力的多次处理。实践证明，效果甚佳。 此料生长的晶体易产生光散射现象。该文献数据准确与否有待进一步考 查。X值根据需要确定，通常在0．5％～5％的范围之内。 对不同温度下的合成产物进行了系统的物相分析，结果表明，经我 们工艺处理并混合均匀的3种试剂，在850。C下灼烧7h，就已转化为 Nd：YVO。多晶，其x射线物相图谱与YV04标准卡片数据吻合很好，未 出现其他杂峰。 不同PH值下容易缔合成不同的多钒酸盐14]，钒，钇的配比常有晶体 的生长工艺确定。不同的生长工艺从富钒化学当量比不等。p’6l我们通过 实验把PH值控制在6．8～7．5之间最为合适。 2。2单晶生长工艺的一般描述 ofaaxis Nd：YV04Crystal Fig．1 采用中频感应加热异型铱坩埚Czochralshi法生长晶体：生长气氛为 2003年十一省(市)光学学术会议论文集 出a轴的优质Nd：YV04单晶(如图1)生长周期为2～3天。 2．3炉型结构与温场的设计 针对特定的晶体，设计一种合适的稳定的温场分布是生长好晶体的重要条件。Nd：YVO。单晶热导率小 且物理特性的各向异性，通常适合于大尺寸晶体的温场分布为：液气温差△Tolg=Tol—T。。；即熔体表面的液 气两侧的温差要大，而液面上方60ram高度的后热室内的温度梯度必须适中为此我们专门设计了如图2 的炉型结构。调节铱坩埚与感应圈的相对位置，采用了铂金片及氧化片对后热室进行多层分隔。通过铂 金片的热辐射，氧化片的隔热及氮气层的保温，只要仔细地调节后热室径向腔壁厚度及纵向腔体深度以 及铱坩埚底部保温层厚度(D)就能实现所需要的温场分布。使用异型铱坩埚的目的是通过适度减少熔体 Bh3△T／Y X)。从而明显地抑制了熔体的自然对流速度，而达到提高熔体温度分布的稳定性。 2．4生长形态 尽管Czochralshi必法提供的是一种强制性极强的晶体生 长环境，但Nd：YVO。单晶仍然顽强地显露其重要晶面，其结晶 习性表现得相当突