高性能的Be掺杂基区InPInGaAs+SHBT研究.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 SHBT 区InP／InGaAs 高性能的Be掺杂基 苏树兵1，于进勇1，刘新宇1，刘训春1， 王润梅1，徐安怀2，齐鸣2 (1中国科学院微电子研究所，北京100029) (2中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050) 摘要： 成功制作了MBE生长的Be掺杂基区的自对准InP／InGaAs单异质结双极晶体管 ‰“≈0．06V，膝点电压％。。≈0．3V，击穿电压B‰D≈3．8V。器件的截止频率再。 155GHz，最高震荡频率fm。=60GHz。 关键词：MBE；自对准；磷化铟；单异质结双极晶体管 1 引言 InP材料的高击穿电场，高电子饱和运动速率等优良特性决定了它在制作超高速、超高 频、低功耗、低噪声器件和电路方面的优势。目前这些器件和电路在军工及民用通信基站等 方面已经得到了一些的应用【l。3】。对高频器件和电路的追求促使InPHBT成为目前国际研究 的热点。由于InPHBT在高频方面的优势，人们对其高频潜力的开发也从未间断，各种新 技术、新工艺不断涌现【4叫J。 本研究成功制作2×131xm2发射极自对准InP／InGaAs单异质结双极晶体管，获得了良好 的器件性能，截止频率序=155GHz，最高震荡频率厂m。。=60GHz。 2 器件结构及制作工艺 SHBT外延材料生长在2英寸半绝缘InP衬 本研究所用的晶格匹配的InP／Gao．47Ino．53As 底上((100)面)，所用的生长系统为中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)信息 功能材料国家重点实验室的V90型GsMBE系统。器件的制作在中国科学院微电子研究所 (IMECAS)化合物半导体器件及电路研究室的4英寸GaAs实验线上完成。 材料生长过程中，采用高纯金属Ga和In作为III族源，V族源则是由高纯砷烷(AsH3) 和磷烷(PH3)高温裂解提供，Si和Be分别为n型和P型掺杂杂质【1…。HBT的外延层结构如 表1所示。在此结构中，3x10撙cm刁(Be)重掺杂基区可以减小基区电阻。由于高掺杂基区内 的Be容易向发射区扩散，故在基区与发射区间生长一层50A的spacer层。集电区厚度为 3000A，亚集电区中200A的InP是腐蚀阻挡层。 HBT发射尺寸为2×13um2，T型发射极金属保证自对准的成功。双指基极金属的每个 指的宽度均为1um。HBT的制备过程中，采用了光学接触曝光、BE金属自对准、湿法腐蚀 等工艺技术。制作T型发射极图形窗口后蒸发发射极金属Ti／Au，剥离后以发射极金属为掩 属Ti／Pt／Au并剥离；湿法腐蚀BC台面及亚集电区至半绝缘InP衬底表面从而实现器件隔离； 再蒸发集电极金属Ti／Au；最后，一次金属通过空气桥将HBT的发射极，基极和集电极引 出。 1436 200 5’全国微波毫米波会议论文集 表1 SHBT外延层结构 InP／Gao肿Ino．53As 3 实验结果分析与讨论 3．1直流性能 直流测试设备是HP4155A参数测试仪。图2所示为InP／InGaAs SHBT的共射极I．V特 性曲线，发射极尺寸为2x13pr02。从图中可以看出，器件的直流增益∥达到100，残余电压 BE、BC 器件的基极电流和集电极电流理想因子分别为nb=1．17和nc=1．04，如图3所示， 结特性良好。因此器件可在低压、低功耗领域得到应用。