SESAM调Q的半导体泵浦YbLu2SiO5激光器研究.pdfVIP

·162 物理殛萁应用 SESAM调Q的半导体泵浦 Yb：Lu2Si05激光器★ 宋晏蓉1胡江海1 苏良璧2 镣军2郭凯1 王勇剐3 张志剐“4 (1．北京工业大学应用数理学院北京100022) (2．中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800) (3．中国科学院半导体研究所 北京 100081) (4．北京大学量子电子学中心北京100871) 摘要利用一种新型掺Y矿的晶体Y分+：hls如(Yh：LSO)做增益介质，半导体激光器馓泵浦源、InCa／ks 可饱和吸收镜实现调Q输出。得到了激光波长为1058rim、脉冲重复频率为25Ktiz的调Q激光输出。重复频率随 着泵浦功率的增加而增加a据我们所知，这是该种晶体调Q输出的第一攻报道。当泵浦功率为乏2w时，调Q输 出的斜率效率为3册。 关键词(140．3540)激光器调Q(140．3380)激光材料(140．3480)L矗∞m导体泵浦 1引言 掺n。晶体的吸收波长主要位于900到1100nm，这个波段恰好是已经发展得很成熟的 I|1G曩A8半导体激光器的发射波段，所以掺硼产晶体非常适合高效率的InC,aAs半导体激光器泵浦％ 的中心波长是在1060nm附近。由于它们只有很少的量子缺陷，没有浓度猝灭和受澈态吸收，所 以它们的激光效率很高。在Yb：YAG晶体1”出现之后人们又研制出许多新的晶体，比如Yb： and YAB口1，Yb：KYW 氟化物类Yb：CaFzm它们都具有可调谐和产生超短脉冲的特性““。尽管如此，要制成既有较 高热导率又有较宽荧光谱的晶体还是很有难度。例如，Yb：YAG具有良好的热导性但是荧光谱 较窄。另一方面，像C,dCOB和B∽噶这些晶体虽具有宽荧光光谱但却受它们低热导率的限制， 在大功率激光系统中散热问题成了最大的障碍。 本文中，我们报道了—种新的n·掺杂的晶体，Y矿：hKSiOs(Yb：LSO)，这种晶体既有高热 导率又具有宽的荧光光群”。我们利用hC．a桶饱和吸收镜实现Ttoss删调Q{禽出。 2实验结果 图l为调Q激光输出实验图。泵浦源是一个光纤耦合输出的InGaAs半导体激光器(Unique +基金项目：北京市优秀人才基金．批准号：200411)0501511；国家杰出青年基金No助。 SESAM调Q的半导体泵浦Yb：LthSIOs激光器 ·163· mm长的晶体 合透镜组准直并聚焦到晶体上，两个透镜的焦距都是18mm。在本实验中所用的3 没有镀增透膜，被安置在一个铜座上并被水冷却，晶体的温度保持在22℃。利用～个半导体 可饱和吸收镜(SESAM)做了Yb：LSO晶体的调Q实验。激光腔是一个总长为4．5cm的三镜腔。 个8nm厚的InGaAs量子阱。它被贴在一块铜片上，从而更好得散热。晶体和输入镜与上面用到 的相同。一个镀0．5％输出膜和曲率半径为50mm的凹面镜用作输出镜。 图2是测到的调Q脉冲波形。重复频率是25kHz，脉宽2．9斗s。脉冲重复频率是泵浦功率的 函数，如图3所示。当泵浦功率是2．2W时重复频率是39kHz。总的输出功率随泵浦功率的增加 而增加，调Q时激光输出斜率效率是3．O％。 圈1调O激光器的结构田 图2调Q激光器的输出脉冲波形 N下—)I，兽巴c星髫鲁- 柏∞∞科艇∞籍∞孔 ． 1∞1船1∞1婚2∞2惦2102t52．_-00225