Se源温度对预制层In2Se3薄膜晶相结构的影响研究.pdfVIP

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2018-01-11 发布于未知
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Se源温度对预制层In2Se3薄膜晶相结构的影响研究.pdf

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化合物半导体和空间用太阳电池及材料．293．．王兴磊1’?敖建平1何玮瑜1何，青1李凤岩1孙云1 1南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300071 ， 2云南大学材料科学与工程系昆明 650091 ’ ’．；薄膜的表面形貌．成分比例以及晶相结构产生影响。本文改变Se源温度，采用的衍射峰出现；提高se源温度，预制层表面形貌和组成成分都较好，In2se3结晶相为(110)衍射峰择优。【关键词】 se源温度In2se3Cu(In，Ga)Se2表面形貌择优取向 InfluenceofTheSelenium onTheG}rowthof Precursor Temperature In2Se3 WANG AO HE HE LI SUNYunl Xinglei’·2Jianpin91Weiyulqin91Fengyanl 1InstituteofPhotoelec口onicThinFilmDevice Jin，300071 2The ofMaterialScienceand Department Engineering，Yunnanuniversitykunming，650091 O引．言比例和X衍射峰型都有较大影响，且有效控制Se蒸发量，。可在工业化制备大面积CIGS薄膜时更好的节约原材料uJ。 1实验实验采用玻璃上溅射上Mo的薄膜作为衬底，以真空蒸发三步法中的第一步制备(In， Ga)2Se3薄膜。实验在真空度为3x10-3 ．294· 中国太阳能光伏进展同Se源温度对薄膜的表面形貌、成分比和X衍射峰型的影响。薄膜结晶相的测试为X’PerPro型的x射线衍射仪(XRD)分析。． 2结果与讨论 2．1 预制层In。Ses的形貌与成分分析形成过程中产生圆块装结晶突出物，即所谓的金属析出物【2】。．当se源温度升高到se溶点以上一’ 图1(c)和‘(d)所示，预制层In2Se3表面光滑，结晶致密。图1 【a)，(b)。(c 270。C和310。c 0．679，0．655，都较为接近膜层的成分的化学计量比。 _ ● 2．2预制层InzSea的晶相结构