MOSFET辐照退火特性的计算机模拟研究.pdfVIP

MOSFET辐照一退火特性的计算机模拟 黄爱华 万新恒 张兴 北京大学微电子学研究所，北京 100871 一、引言 在空间和核环境中，辐照可能导致MOS电路中器件性能退化甚至失效。一般将辐照 分为三类:总剂量辐照，瞬时辐照和单粒子效应(SEU)，本文针对的是更有普遍性的总剂 量辐照效应及其退火特性。辐照可能导致MOSFET性能退化，例如:闲值电压漂移和泄漏 电流的产生等。这主要是由于辐照在MOSFET栅氧化层中产生陷阱正电荷及在Si/SiO2界 面产生新的界面态电荷造成的。抗辐照电子学研究的目标是要尽可能地减弱或消除这些效 应给器件性能造成的影响。怎样在实验室条件下模拟实际空间和核环境中的辐照效应，预 测器件性能退化是一项具有现实意义的工作。 传统辐照实验存在如下缺点:1)实验条件和实际环境不尽相同，同时对低剂量率实验 周期长，投资大;2)器件性能随辐照的退化强烈依赖于剂量率，MOSFET的偏置条件， 退火条件和温度。解决以上的问题大致有两种方法:一是用辐照一退火的实验方法。这种 方法的不足之处在于它并不能具体给出闭值电压的漂移量。另外一个较好的解决方案是首 先建立辐照效应的模型然后借助于计算机工具进行模拟和预测。这一方案实现的大体步骤 如下:第一，选择合适的模型描述闽值漂移和泄漏电流随辐照的关系;第二，用实验数 一 据来确定方程中待定的拟合参数:第三，用所得到的模型可对实际辐照结果同辐照时间、 剂量和温度关系的预测。 二、模型 目前，我们可以选择两种模型:线性响应(LR,LinearResponse)模型和转化模型((CM, ConversionModeo。 卜LR模型 MOSFET由于辐照导致的闻值电压漂移量oV,可以分成两部分: 1)辐照在栅氧化层中产生的陷阱正电荷引起的闽值电压的漂移量oV.,; ， 2)辐照在Susiq界面产生的新的界面态电荷引起的阂值电压的漂移量e巧。 即△V,hAV.,+AV,; (1) 文献证明1【]。辐照产生电荷随时间的变化大致为线性关系，与退火时间成对数关系; 辐照导致的界面态与时间也近似为线性关系，而在室温下，可以忽略其退火效应。根据以 上分析我们可以得到 4V7o(t)=-F,+Plog(t)+F2 (2) 其中，-Fl为单位辐照剂量导致氧化层陷阱正电荷的产生而造成的阂值电压漂移量;P 习 为前者的退火常数;F2为界面态造成的闽值漂移量。 ﹁ | 在栅压为零时，泄漏电流的模型为: | l IO(t)=K,exp(一X,t)+K2exp(-)zt) (3) e s 其中，K代表单位剂量泄漏电流的产生，入是相应的退火时间常数，下标1,2分别代 e s l 表在栅边缘和场区辐照导致的漏电流。 | 辐照导致的总的闽值漂移量和总的漏电流可由如 卜的积分得到: -380- i