MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系研究.pdfVIP

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2018-01-07 发布于未知
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MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系研究.pdf

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J J 门闷门月门月日 MOs电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系一 | 任迪远余学峰艾尔肯张国强陆妩郭旗范隆严荣良 1 卜 (中科院新祖物理研究所830011) | 万 | 摘要本文通过对国产加固N型woo电容进行衬底热电子高场注入 ((SHE)及丫总剂量辐照实脸，特别是进行总荆t辐射损伤后的热载子损伤盛加实验，从徽观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能t分布变化等角度研究比较了mos结构热载子损伤特性及与电离辐射损伤的关系。关桩词 wos结构热载子电离辐射损伤氧化物电荷界面态引言自从MOs电路问世以来.其制造工艺水平一直在不断飞速发展，具体表现在规模越来越大而单元电路尺寸却越来越小。目前微米器件已很普及，亚微米器件也并不罕见，并以飞快的速度向纳米级器件迈进。但随着器件尺寸的不断减小也带来一些可靠性方面的问题，其中热载流子损伤问题最为严盆，目前已成为微米、亚微米 VLSI器件急需解决的可靠性问题。已有研究表明，MOs器件的热载子损伤将导致器件的跨道、闭电压、衬底电流，以及姗极电流的退化。众所周知，这些参数同样也受电离辐射的影响，由此产生的一个重要问题是 :器件的总剂量辐射损伤与热载子损伤是否具有，以及在何种程度具有一定的相关性. 有关短沟薄栅MOs器件的热载子损伤与总剂量辐射损伤的相关性研究，是目前国际上的研究热点之一。目前虽然认为两种损伤都是由于电离辐射或热载子注入在