MOS器件寿命的快速评价方法研究.pdfVIP

MOs器件寿命的快速评价方法 章晓文 信息产业部电子五所 广州1501信箱 邮编:510610 摘要:采用加速寿命试验方法提取了品片级MOs管的 HU 氏模型的工艺参数，确定了对应器件寿命值 的最大线性跨导的变化率;采用实验的方法确定了在不同的退化机理作用下，引起N沟道热载流子退化 的统一模型的工艺参数，并和加速寿命试验进行了比较.随后的研究表明，这些参数是随工艺而变化的. 1.前言 预f$i1MOs 管在热载流子退化影响下的寿命值，确定热载流子对不同工艺的影响，常 采用ChenmingHU的加速寿命试验方法111。这个方法建立在所有热载子现象都遵循同样 的Id-exp(一Ol9AEm)关系的4础上。因此，衬底电流可以写成如下形式: 1b=C1-Id-exp(一O,IgAE-) (1) 这里，C,是常量，Id是沟道电流，Y^是碰撞离化能，k是电子的平均自由程，Em是沟道 电场。假定界面陷阱具有如下形式121. AD，二C2.[t·叼W-exp(一O,I9AE-)]n (2) 式中，0,是一个电子为了产生界面陷阱所必须具有的临界能量，W是沟道宽度，t和n 表示了△DA,是怎样随时间增加的。表达式(2)也可以表示成达到一指定的界面态密度八D自 所需的应力时间: ;二CSW/Id-exp(一Odl9AEm) (3) 式中，常量C,包含常量 C2.n和指定的界面态密度△D。。从((1)式和(3)式，可推出与衬 底电流和沟道电流相关的器件寿命表达式; TId/W=Cd[Ib/川一用 (4) 式中，C,是常量，m=咖/户 胡氏模型的加速寿命试验的测试是以阂值电压的漂移达到 10mv时，所加应力的时 间，定义为在加速应力作用下器件的寿命时间T，而且不同应力条件下的测试需在最大 衬底电流附近进行测试。从:·‘与 ‘酬Id的对数曲线上，可得到参数m.(4)式也可表示 成如下形式: T=HI:-Id-.W (5) 由上式可知，在参数脚确定以后，对于同一种工艺，仅需测量一种器件的T和衬底电流 L.b.漏极电流Id就能定出参数H，以后，在其它沟道长度和偏置条件下，只要监测衬 底电流I,un和漏极电流Id就能快速地预测器件寿命z. 研究表明，即使在栅偏压不会产生最大衬底电流的情况下，由于电路在操作过程中， 有电子和空穴注入到氧化层中，也会产生明显的器件退化。 在中等栅压 (VrsaVp,/2)偏置情况下，器件的退化主要是由界面陷阱的增加引起的， 此时，衬底电流接近最大值 IB. 。在低栅应力((Vrs=Vps/5)情况下，由于空穴的注入，既 有界面态陷阱的产生，又有氧化物陷阱电荷的产生(空穴陷落)。在高栅压情况下(VGS=V动r 器件的退化主要是由于电子注入产生的氧化物陷阱电荷所致。M.Pagey等人认为，为了进 行电路可靠性模拟，提出的模型应当能预计出器件退化的时间依赖性。 根据Pagey等人提出的退化模型[s)，在最大衬底电流偏置情况下，即I,.w.(V,.V,/2)， 退化模型是: % AG ，(t，IB..。:=A ·I厂 (6) 退化模型是: 在有空穴H，。，注入的条件下V〔G-VO/5)， % G ，(t.H -j =B·(Ib/Id)0(Id·，)， (7) 在有电子Emj注入的条件下(VIZVD),退化模型是: % G.(t，E+ei)=BQ·9lId}0(Id·)‘· (8) 考虑到以上因素，把以上各式取偏微分之后再积分.总的退化模型可写成如下形式: %G=J[A·I; ·母‘d1,·:一)卜;{二(11D)v(·了一)