PHEMT电离辐照效应研讨.pdfVIP

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2018-01-11 发布于未知
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PHEMT电离辐照效应研讨.pdf

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第19卷第5期传感技术学报 V01．19No．5 cHINEsE OFSENSORSANDACTUATORS 2006年10月 JOURNAL Oct．2006 onIonizationEffectofPHEMT Study YANG Guang-linh，DULeil，ZHUANGH—qi ofTechnologyPhysics，XidianUniversity，Xian ，1．Institute 710071，China．、＼2．MicroelectronicInstitute，Xidian 710071，C五ina／ University，Xfan Abstract：This ontheionizationeffectof measuredthe卜Vcharacteristicand paperstudy PHEMT．Though thelow foundthatthe ofPHEMTisnotinfluence ir— noise，we evidentlybygamma frequency performance thedraincurrent mechanismandthe oflow noiseof radiation．Analyzed degraded origin frequency of isthe forthedraincurrent PHEMT，wefoundthatinterfacestates unctionmaincause hetero-j degrada— moreinterface tionandthe noise．The irradiationwillnotintroduce 1argerlow-frequencygamma any states，andthatcan theresultsof inmicrocosmic． explaineffectively experiment noise Keywords：ionizationirradiation；PHEMT；interfacestates；low-frequency EEAOC：2560S；2550R PH EMT电离辐照效应研究杨广林 1+ 杜磊1，庄奕琪2，何亮1，胡瑾1，刘宇安1 ，1．西安电子科技大学技术物理学院，西安710071“ ～2．西安电子科技大学微电子学院，西安710071／摘性能影响并不明显．分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源，发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生较大低频噪声的主要原因，但辐照不会在异质