MOS晶体管中辐射引起的陷阱正电荷的强压退火研究.pdfVIP

{! MOs晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火 姚育娟’张正选’，’姜景和 ‘何宝平 ‘罗尹虹 (1:西北核技术研究所 西安 710024) (2:西安交通大学西安 710049) 摘要 电离辐射在mos结构的Si仇层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正姗偏压 下迅速减少，这是由于正姗压引起硅村底中的电子向si仇层注入，从而与陷阱正电荷 复合。正栅压退火不仅对N沟mios结构非常有效.对P沟mos结构也有一定的影响.本 文给出了正橱压退火的实验结果，井阐明了栅压退火机理。 关妞词 电离辐射退火 时间依赖响应 引言 为阐明MOs器件的过辐射响应以及发展辐射加固实验方法，充分理解缺陷的 累积和退火行为是十分必要的.人们运用多种方法研究MOs器件辐照后的退火响 应，但大多集中在室温下的时间依赖效应和短时高温退火效应，此时所加的姗压在 十5V和+lov之间.而对于辐照后，MOs器件在强电场下的退火行为，人们研究 的不多.为了全面理解各种条件下的缺陷退火行为，我们在恒定室温下，对 MOs 器件进行了短时强压退火实验，即所加栅压高达+20V，并在传统的缺陷退火模型 的基础上，解释了MOs器件在强电场下的时间依赖响应。 实验 实验所用样品为国内生产的加固型MOSFET，干氧氧化温度900C,栅氧化层 厚度为50nm.Co-60Y射线室温辐照，总剂量为5X10Gy(Si)，辐照剂量率为 0.256Gy(Si)is.辐照期间，V,,5+5v,VpVSov,k时NMOS管导通，PMOS管 截止，均处于最劣偏置状态。辐照后进行强压退火实验，所加栅压为+20V。每退 火 10分钟进行一次参数测量，总退火时间为60分钟。参数铡量由HP4156精密 半导体参数分析仪完成。 2 实验结果 ._三滋巨益盛~ _二二彩褪益 ‘ 姚育娘 张正选 姜景和等:MOs晶体管辐照引起的陷阱正电荷的豆压退火 图 1是NMOS晶体管在辐照前，辐照后和退火后转移特性的比较。从图中可 以看出，I-V 曲线辐照后严重负向漂移，源于氧化层中高的空穴俘获效率，这可 能与生产工艺中氧化层的高温退火有关，或有可能为调整阅值电压而进行了离子注 2 言 勺 一 图1NMOS晶体管I-V曲线在辐照前、辐照后及退火后的变化 入。空穴俘获的多，陷阱正电荷数盘大，致使阐值电压下降，漏电流增大，曲线漂 移严重。零栅压下，管子已开启，增强型管己变成耗尽型. 十20V室温强压退火60分钟后，IN 曲线正向回漂，这是由于辐射引起的陷 阱空穴被中和。此时，阐值电压也正向回漂，并已超过辐照前值。从NMOS品体 管的 I-V 曲线可以看出，退火后的亚闽曲线斜率没有恢复到辐照前的状态，这是 由于辐照产生的界面态陷阱电荷的影响，界面态陷阱电荷使亚阅曲线斜率变小，曲 线变缓.强偏压退火只对氧化物陷阱电荷有效. : “ 拍 汾 : 驴 艺 胡 与 熟 几 葱 朋 如 胡 乃 一 一 抑 图2NMOS晶体管△从随‘辐照和