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2006电力论坛 ·论文集
MOS模拟开关技术在PWM信号
驱动电路中的应用
刘觉民，蒋思东，陈明照，颜小君，杜宗林
(湖南大学电气与信息工程学院，湖南长沙410082)
摘要介绍了MOS模拟开关的原理，以厦以MOS模拟开关为核。构成数字信号处理
器的PWM信号输出驱动电路，精确触发和关断晶闸管整流器，实现同步发电机励磁绕组
的恒流控制。
关键词MOS模拟开关；非饱和区；PWM信号；驱动电路
当Vcs≈o时，漏源极之间存在10”～101zn的电
0引言
阻．MOS管漏源极截止，开关关断；当VcsVm时，
MOs管是用栅极电压来控制漏极电流的电压 漏源极截止，开关关断；当VGsV。n时，载流子迁移
控制器件，导通电阻小，关断电阻大，温度稳定性好， 率高，导通电阻小，漏源极近似短路，开关导通。
抗辐射能力强。开关时间在10～100ns，工作频率可 1．1 MOS模拟开关工作在非饱和区的特性
在100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的“3， MOS管工作在开关状态，即在截止区和非饱和
区之问来回转换，研究漏电流id，Vcs，vm和Vm之间
由MOs模拟开关构成的新型PWM信号输出驱动
电路，功耗小，电路简单，能够将DSP(数字信号处理的关系是硬件电路的设计基础。’。
器)输出的PWM信号精确触发晶闸管整流器，是全id=Qd。=一wC。；(VGs—V(x)～Vth]v
数字励磁调节器的重要组成部分。
=ⅣC。[VGS—V(X，一Vh]p。—dVj了(x～)
1 MOS模拟开关的原理 积分得：id=K(2(V6s—Vth)VDs—VDS2)
其中V(x)为点X的淘道电势，脚为淘道内电子表面
用NMOS管构成的模拟开关电路如图1所示，
迁移率，c。。为栅氧化层单位面积电容，w，L分别为
在MOS管的栅极添加系列脉冲电压VGS，来控
沟道宽度和长度。K为导电因子，
MOS管漏源极的通断，MOS模拟开关主要工作在
截止区和非饱和区。 令ii}=K[2(VGs～Vth)一2VmJ—o
作于非饱和区。3，在深度非饱和区时VDs很小则VDs2
D』 忽略不记。id=2K(V6s--V。h)Vm
式中K=告mC。丁W
当ves一定，MOS管舶导通电阻
R。n=等乎l—vc；；。=瓦Ej矾专南(1)
式(1)说明，MOS管可以看作由Vcs控制导通的可变
电阻，id随Vm的增大而增加的速率减慢，并逐渐趋
于预夹断状态。增加≠可以减小R。。这会使寄生电容
圈1模拟开关电路 C。，Cd成比例增加，采用高电平栅极电压V。s时
MOS管沟道变厚，R。。减小，导电能力增强，但寄生
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