第一章 常用半导体器件L1.ppt

第一章 常用半导体器件 第一节 半导体基础知识 一、本征半导体 1. 什么是半导体 自然界中物质按导电能力分为三大类： 导 体—很容易导电的物质。如银、铜、金、铝。 绝缘体—很不容易导电的物质。如塑料、陶瓷。 半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间。如锗、硅。 第一节 半导体基础知识 3. 本征半导体特点 ①本征半导体内有两种载流子： 电子（自由电子）“●” —带负电 空穴 “○” —带正电 二者成对出现，叫电子空穴对。 名词：载流子、本征激发、复合、动态平衡状态 ②浓度很低，随温度升高按指数规律增加。 三、PN结的形成与特性 1. 什么叫PN结 在N型半导体和P型半导体交界面处形成的带电薄层。 又称空间电荷区、阻挡层、势垒区。 3. PN结的单向导电性 PN结加不同极性电压，表现不同特性 ①正向电压：P区接高电位，N区接低电位(正向偏压、正偏) 加正偏→PN结变窄→扩散漂移→多子扩散电流IF 3. PN结的单向导电性 ②反向电压：P区接低电位，N区接高电位(反向偏压、反偏) 加反偏→PN结变宽→漂移为主→少子漂移电流IR 4. PN结的具有电容效应 所谓电容效应指的是它能储存电荷，且外加电压发生变化，所储存的电荷量随之而变。 一、二极管的组成 1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 四、二极管的主要参数 五、二极管应用 六、稳压二极管 一、三极管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 3.电流分配关系 第四节 场效应管 从预夹断开始，VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS 漏-源电压uDS对漏极电流iD的影响 2. 输出特性 目录 第四节 场效应管 3. 转移特性 描述了uGS对iD的控制作用 目录 第四节 场效应管 二、绝缘栅型场效应管---MOS管 1.增强型（N沟道） MOS-FET结构 目录 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚、变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。uGS(th)称为开启电压 从预夹断后，uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻，iD几乎仅仅受控于uGS，进入恒流区 第四节 场效应管 uGS对iD影响 uDS对iD影响 工作原理(N沟道增强型） 目录 N沟道增强型MOS管的输出特性 恒流区 第四节 场效应管 式中： 目录 第四节 场效应管 2. 耗尽型（N沟道） ﹡由于结构的特殊性uGS=0时就存在导电沟道。uGS小到一定值才夹断，uGS(off)称为夹断电压。 ﹡耗尽型MOS管在uGS＞0、＜0、＝0时均可导通。 目录 第一章 常用半导体器件 模拟电子技术 电 子 教 案 沈阳工业大学 电子技术教研室 目 录 第一章 常用半导体器件 第一节 半导体基础知识 第二节 半导体二极管 第三节 半导体三极管 第四节 场效应管 目录 器件是组成电路的基础。学电路要先学器件。 本章内容：1.介绍半导体二、三极管的内部结构。 2.重点讲授器件的工作原理与外特性。 教学要求：1.重点掌握半导体器件的外特性。 2.做到会正确选择，合理使用。 目录 第一章 常用半导体器件 2. 什么是本征半导体 将纯净、排列有序的半导体晶体称为本征半导体。 目录 ③本征半导体电特性：电子或空穴在外电场作用下，会产生定向移动，形成电流i；导电能力很差；电流i 对温度敏感， 即T（℃）↑→i ↑ 为什么导电能力很差？对温度敏感？ 思考题 本征激发 目录 二、 杂质半导体 本征半导体导电能力很弱，不能制造半导体器件 杂质半导体导电能力强，能制造半导体器件。 杂质半导体 = 本征半导体＋微量元素（杂质） 类型：N型半导体，P型半导体。 1. N型半导体 本征硅（锗） + 微量五价元素 （如磷） 产生电子 磷变为正离子 施主杂质 第一节 半导体基础知识 目录 2. P型半导体 本征硅（锗） + 微量三价元素 （如硼） 产生空穴 硼变为负离子 受主杂质 结论： P、N半导体的导电能力本征半导体 第一节 半导体基础知识 目录 第一节 半导体基础知识 2. PN结的形成 名词：扩散运动、漂移运动、动态平衡 PN结形成 目录 第一节 半导体基础知识 结论（正偏压）： PN结导通，导通电阻小 产生正向电流IF， 方向P→N，数值大， 正偏压时 内外电场反向 目录 第一节 半导体基础知识 正反压时 内外电场现向 结论（反偏压）： PN结截止，大电阻特性 产生反向电流IR， 方向N→P，数值很小 PN结具有单向导电性 目录 第一节 半导体基础知识