n多晶硅NSiC异质结形成欧姆接触的研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 n+多晶硅／N+SiC异质结形成欧姆接触的研究木 张林，张义门，张玉明，汤晓燕等 (西安电子科技大学微电子研究所，西安，710071) (教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安，710071) 摘要：本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅／N+SiC异质结形成欧姆接 触的新的SiC欧姆接触制造技术。模拟结果表明n+多晶硅／N+SiC异质结接触可以形成良好 的欧姆接触，具有工艺简单，性能优良的优点。 关键词：SiC，欧姆接触，多晶硅，异质结 PACC：7280，7330，7340S，7220 1．引言 SiC材料具有禁带宽度大，饱和漂移速度和热导率大，化学性能稳定等优点，使其成 为制作高功率、高频、耐高温器件的理想材料，在航天航空、石油勘探、核能等领域应用 前景广阔。随着近年来SiC的材料制备和外延技术逐渐成熟，研究其基本工艺技术，发挥 出SiC材料的潜在优势，制备出高性能的器件和电路是目前研究的热点。 在高温，大功率和高频SiC半导体器件中，欧姆接触质量的好坏直接影响器件的效率、 增益和开关速度等性能指标…。目前SiC的欧姆接触主要是通过金半接触形成。先用离子 注入在SiC需要欧姆接触的区域进行高掺杂，再淀积合适的金属，然后通过高温退火后形 成欧姆接触。这种工艺需要经过多次高温退火，工艺过程相对复杂和困难。而且目前的实 验发现金半接触形成的欧姆接触的质量除了杂质的类型、注入浓度、激活率，金属的种类 等因素外，还在很大程度上依赖于淀积金属后的退火工艺。退火的时间、温度、环境的不 同都会极大的影响欧姆接触质量。而对于退火过程影响欧姆接触质量的原因，目前的还没 有清晰的理论解释。这方面理论的缺乏大大限定了SiC欧姆接触工艺的改进旧1。SiC欧姆 接触的制作比起Si、GaAs和GaN来说，难度要大得多，目前报道的n型SiC的欧姆接触 水平大都为1×10一～1×10。6Q·cm2∞。，还有待进一步研究新的工艺技术，以提高SiC的欧 姆接触质量。本文提出了一种新颖的采用n+多晶硅／N+SiC异质结接触在SiC衬底上形成欧 姆接触的新方案，并采用器件仿真软件ISETCAD对我们的方案进行了模拟研究。该方案 利用目前非常成熟的多晶硅工艺，除了可以在SiC上形成低电阻的欧姆接触外，还具有工 艺简单，工艺过程中可控性好等优点，是目前在SiC上制备欧姆接触的一种很好的选择， 并具有良好的发展潜力。目前尚未见过相关的报道。 2。器件工艺设计 该方案的主要工艺过程如下： 1)用离子注入对SiC外延片进行n型高掺杂 2)用LPCVD法淀积多晶硅并进行原位ri型高掺杂 3)在多晶硅上淀积Ti金属形成欧姆接触 该方案工艺相对简单，而且多晶硅工艺十分成熟，因此适于制备出性能优良且工艺可 控性好的欧姆接触。 (2002CB311904)联合资助 ．．39．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 3．接触特性的模拟 模拟所采用的结构如图1所示，高掺杂的SiC衬底的厚度约为200r皿，Ti与多晶硅反 应形成硅化物后剩下的高掺杂多晶硅的厚度也约为200nm。本文使用器件模拟软件是 TCAD DESSIS，它是ISE7．0软件包里的一个器件仿真软件。针对所要模拟的器件的结构 及尺寸，本文通过求解漂移扩散模型中的三组基本方程来实现的，包括Poisson方程，电 子和空穴的电流连续性方程。不同的材料和结构的器件需要选择不同的模型。本文在基本 器件模型的基础上，针对SiC材料特有的“冻析”效应选择了部分电离模型，并考虑到多 晶硅和SiC接触的晶格失配加入了界面态。 金属 硅化物 O。 钐够鹕?叫 ＼＼＼遗∥＼＼＼心 sic,it底