n型4HSiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究+研究.pdfVIP

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2018-01-11 发布于未知
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n型4HSiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究+研究.pdf

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2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海 n型4H-SiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究贾威张玉明张义门郭辉 (西安电子科技大学微电子研究所，西安，710071) (教育部宽禁带半导体材料重点实验室，西安，710071) 摘要：建立了rt型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型，得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线．考虑了五种散射机制对霍尔迁移率的影响，模拟了电子霍尔迁移率随温度变化的规律．在温度较低且掺杂浓度较高时，中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大，而在温度较高时，谷间声子散射成为主要的散射机制．关键字：4H—SiC：有效载流子浓度：霍尔迁移率；中性杂质散射：补偿率； and sisof ofthe Dependence ModelingAnalyTemperature ConcentrationandElectronHall in 4H—SiC MobilityN—type JIAWeiZHANG ZHANGYi·-menGUOHui Yu--ming (ResearchInst．of 1007 Labof of Microelectronics，XidianUniv．，Xi’all，7 Minis仃y 1；Key MaterialsandDevices) EducationforWide Semiconductor Band—Gap modelsofthe ofthe ofeffectivecarriersand Abstract：The temperaturedependencedensity are the leveland electronHall in 4H—SiC mobility proposed．Consideringdoping n一哆pe ratio，the ofthe ofeffectivecarriers is compensationrelationshipdensity V．S．temperaturegiven． inthe ofelectronHall Fivemain mechanismsareconsidered scattering analysis mobility．The showthatatlower the ofneutral results level，the temperatures，withincreasingdoping impact becomesmore theelectronHall iscontro