N型掺杂硅外延电阻率的精确控制研究.pdfVIP

N型掺杂硅外延电阻率的精确控制 薛宏伟 陈秉克 吴福民 田中元魏统峰 林静 (信息产业部电子十三所 050051 石家庄) 在S蜡 晶体管和集成电路时，要求外延层具有一定数值和均匀分布的电阻率，这需要人为 引进N型或P型杂质进行掺杂。这些器件的运行效果取决于掺杂剂浓度的准确控制和掺杂剂浓 度沿该外延层的纵向分布。目前工艺上采用气相掺杂法，使掺杂浓度的调节范围非常宽，用同 一掺杂源，可以生长出掺杂浓度相差数十倍的外延层。下面以PNa掺杂剂为例，说明在目前应用 广泛的桶式外延炉中如何对N型外延的电阻率进行精确控制。 一 掺杂原理 外延层中的杂质原子是在外延生长时加入到晶格点阵中去的，在外延生长过程中，带有 图3 的混合剂通过扩散向生长表面输运，在表面附近毗 被分解出游离态的P原子，其化学反应式 为: 2PH,二2P+3魄个 析出来的P原子加入硅的晶格点阵，并离化成带正电的施主离子，随着外延的进行继续向衬底 深处扩散。 根据在外延生长时，在质量转移过程中的掺杂浓度公式 【1) Nf:Pro/(P}+Nsi川)*Nsi 其中Nf为掺入外延层的杂质浓度 Nsi为硅晶体的原子密度 Ptn为混合气氛中掺杂剂分压 Pca为反应剂分压 H为亨利定律常数 从公式中可以看出:在其它条件一定的情况下，外延层的杂质浓度与掺杂剂的分压成正 比。 二 系统原理 排 空 图一为掺杂系统原理图，主要有三支质量流量计组成。 惨杂源PH,,经源流量计A,后与性混合，然后分成两路， 一路经流量计A:进入反应室，起掺杂作用;另一路经流量计A, 排空，起稀释作用。通过调Ti这三支流量计的控制电压， 洲 以改变它们的流量，就可以得到外延层所需的电阻率。 图 一 一136 二螃姻白 外延设备的掺杂系统基本相似，但具体到每种类型的外延炉来说，由于其反应器的设计不 同，气流方向不同，气流量大小不同，其掺杂规律也不尽相同。例如目前常用的外延设备，其 反应器分别为立式 (图二)和桶式 (图三)， 进气 口 石~Lti.} .，醚，， 排气口进气口坪气曰 图二 立式反应器 图三 桶式反应器 从上图中可以看出，桶式外延炉的反应气流从上方的喷嘴喷出，平行于硅片表面向下流 动，然后完全排出反应室，而立式外延炉的反应气流沿中间的喷嘴向上喷出，除一部分气流向 下排出系统外，其余继续留在反应室中，进行再掺杂。 下面以美国应用材料公司AMV-1284外延炉为例，说明立式外延炉的掺杂规律: 源流量计A，的调节流量为X,，注入流量计A:的调节流量为X2,稀释流量计人。的调节流量为 Xa，最大流量为F3. 三支流量计的流量按下面的对应关系进行调节: X,=X2 | | XaF,-100X, | l 掺杂公式为:TargetP=TestP*TestADC/TargetADC 式中TargetP是要求的电阻率，TestP是调节前的电阻率，TestADC是调节前的x1对 s