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PECVD沉积SiO2和SiNx对pGaN的影响研究.pdfVIP

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  • 2018-01-07 发布于广东
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PECVD沉积SiO2和SiNx对pGaN的影响研究.pdf

    O o六年全国光电技术学术交流会会议论文集(F) PEOVD沉积Si02和SiNJ对p-GaN的影响 陈宇，严丽红，王良臣 (中科院半导体研究所集成技术中心，北京100083) 钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N+v空位，高能量离子轰击造成材料深能级缺陷增多以 W’13．56 特性的严重恶化．选择较低的射频功率(15 程对p-GaN的影响． 关键词：PECVD；Si02； ■y特性 SiNx；P—GaN； 中圈分类号：TN312+．8文献标识码：A Influenceof and PECVDon Si02SiNx layersP-GaN CHEN Yu，YAN Li—hong

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