3 mm厚大口径超薄元件双面抛光工艺.pdfVIP

第25卷第12期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．25，No．12 2013年12月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Dec．。2013 文章编号： i00i-4322(2013)12—3315-03 3mm厚大口径超薄元件双面抛光工艺+ 何曼泽， 王 琳， 周佩皤， 马 平， 鄢定尧 (成都精密光学工程研究中心，成都610041) 摘要：基于环摆双面抛光技术，研究了3mm厚大口径超薄元件的双面抛光加工工艺。通过对双面抛 光原理的分析，对转速比、抛光垫面形、抛光液等工艺参数上作了优化，并通过加工模拟进行验证。通过工件环 分离器减薄技术解决了3mm厚超薄元件的装夹问题。在SYPl52双面主动抛光机上进行了加工工艺实验， 通过调节转速比实现3mm厚大口径超薄元件面形的高效收敛，验证了加工的可行性，并且达到了面形精度优 于1．5a(a一632．8nm)、表面粗糙度优于1 nm的技术水平。 关键词： 双面抛光； 大口径超薄元件； 工艺优化；转速比；加工模拟 中图分类号：TG356 文献标志码： A doi：i0．3788／HPLP3315 在大口径高功率激光驱动器建设中[1‘2]，需要用到3 mm厚大口径超薄光学元件，如屏蔽片和皮秒激光隔 板玻璃等特殊光学元件。这类元件的尺寸大，径厚比高，加工面形和表面质量要求高。为应对这种类型元件的 批量化制造要求，国际上正在发展集精密研磨和初级抛光为一体的高精度数控设备口]，国内虽有相应的研究， 但尚不能实际应用。为解决当前的工程建设供货问题，在生产技术路线上拟采用环摆双面抛光技术与数控修 正相结合的工艺，但在双面抛光阶段要求加工精度必须达到1．5a(A一632．8 nm)的指标，并且表面粗糙度要优 于1nm。本文采用环摆双面抛光技术，对工件环结构，转速比、抛光垫面形等工艺参数进行了实验研究。 1研究内容和方法 mm×320mm×3 对于口径为320 mm的超薄元件，初抛光阶段要想达到透射波前峰谷(PV)值小于1．5A 的精度，采用传统单轴机吸附加工的方式显然无法满足，因为在上下盘过程中存在严重变形，面形精度不稳定， mm 无法有效收敛。而国内采用行星式双面抛光设备加工的最大超薄元件尺寸为+300 1：3径的硅片‘41，加工精 度比较低。要想实现高精度只能依靠进口国外先进的双面抛光设备，造价昂贵。为解决该技术难题，本文采用 了结合环形抛光和摆动抛光方式的双面抛光技术进行技术攻关。 环摆双面抛光加工原理如图1所示。其中，上抛光盘做钟摆式抛光，下抛光盘做环形抛光嘲，两者均遵循 用都归结为一个比例常数K，这样就建立起一个关于材料去除量、压力和瞬时速度之间的线性关系。根据 Preston方程，在很大的数值范围内，抛光可以描述成一个线性方程，即单位时间内材料的去除量与抛光点的压 力、抛光盘和工件的相对速度以及抛光比例常数成正比，即N1 dz／dt—Kpv (1) ofdouble—side Fig．1Principle polishing 图l双面抛光原理图 *收稿日期：2013一07—22；修订13期：2013-08—20 基金项目：国家高技术发展计划项目 作者简介：何曼泽(1985)，男，工程师，从事光学冷加工工艺研究；hemanze@163．corn。 强 激 光 与 粒 子 束