SBTN铁电陶瓷的制备及组织与铁电性能研究.pdf

摘 要 本文主要研究了SBTN(SrBi2Ta2_XNb.Og)铁电材料的微观组织结构。采用 Sol-Gel工艺和固相反应法分别合成纳米级SBT(SrBi2Ta209)粉体颗粒和 SBN(SrBi2Nb209)粉体颗粒。通过无压和热压烧结工艺制备出致密的SBTN陶 瓷材料。 通过SEM,TEM,XRD和RT6000HVS铁电测试仪对SBTN陶瓷材料的 晶粒形貌、电畴结构和铁电性能进行了的研究。讨论了应力对微观组织结构的 影响及Nb掺杂量对材料微观结构和铁电性能的影响。 XRD分析表明，Nb掺杂取代Ta，造成晶胞沿 a,b轴收缩，沿c轴拉 长。在SBTSBN固溶体系中，Nb成功的掺杂取代TaoSEM观察表明，随着 Nb掺杂量的增加，晶粒形状从长片状夹带少量短棒状逐渐变为短棒状夹带少 量长片状。此外，热压烧结样品晶粒的生长择优取向，晶粒生长成薄片状。 TEM 分析表明，应力造成原子的位置激变。激变原子平移的晶面为激变 面，由于激变面的形成，TEM观察到a边界。在居里点，低温铁电相转变为 高温顺电相。顺电一铁电相变的过程中可能产生某些中间相，中间相将以电畴 的形式保留下来。TEM观察到90“电畴的存在，90“电畴可能是顺电相失去四 重旋转轴后形成的中间相的遗留产物。实验中观察到的90,电畴的形态是不规 则的。 铁电性能测试表明，Nb掺杂量从20%增加到50%,SBTN剩余极化 (P,)从12gC/cmZ增加到17gC/cin2，相应的矫顽场 (E})从50kV/cm增加到 75kV/cm。这是由于(Ta,Nb)06八面体中离子的原子位移随着Nb掺杂量的增 加而增加。这将导致钙钦矿单胞更大的结构变形，钙钦矿单胞对剩余极化值贡 献增大。 关键词 SBTN陶瓷;微观组织结构;电畴结构;铁电性能 Abstract MicrostructureofSBTN(SrBi2Ta2,Nb,09)ferroelectricmaterialsisstudiedin thepaper.SBT(SrBi2Ta209)nanopowerandSBN (SrBi2Nb209)powerwere synthesizedthroughSol-Gelmethodandsolidreactionrespectively.CompactSBTN ceramicwassuccessfullyfabricatedbyhotpressedsinteringandpressureless- sintering. MicrostructureofSBTNceramicwasinvestigatedbymeansofSEM,TEM, XRDtechniques.FerroelectricpropertiesofSBTNceramicwerestudiedby RT6000HVStester.Itwasdiscussedthatstressinfluenceonmicrostreture and ferroelectricpropertiesdependingontheamountofNbdopping. TheXRDpatternsshowthatthesubstitutionofNbforTamakeslattice constantsaandbdecreasingandcincreasing,andNbsuccessfullysubsititutesTain SBTSBNsolid-solutionsystem.SEM analysisshowsthatgrainsshapechanges rfomthinplatecombiningsmallrobtorodcombingsmallthinplatewithincreasing theamountofNbdopping.Inaddition,grainshavepreferredorientationinthe sampleofhotpressedsintering TEManalysisshowsthatstressinducesatompositionabruptlychange.The atomictranslationplaneisdefinedascataclysmicplane.Cataclysmicplaneformsa- rfinges.Inaddition,thelow-temperatur