三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构.pdfVIP

加工、测量与设备 and Processing．Measurement 三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构 黄 占喜18’1b’2，吴亚明1a“6 (1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所a．微系统技术国家重点实验室； b．传感技术联合国家重点实验室，上海200050；2．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺。即利用深反应离子刻蚀、湿法腐 蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化 硅(Si02)或氮化硅(Si3N．)薄膜，以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀，该工艺可以应 结构的释放，并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。 关键词：微悬空结构释放；体硅工艺；三维掩膜；备向异性腐蚀；腐蚀模拟 中图分类号：TH703文献标识码：A文章编号：1671—4776(2011)05—0326—07 ofMicro StructuresBasedon3DMaskand Releasing Impending Si-Based Processes AnisotropicEtching Zhanxil‘仆．．Wu ．HuangYamin9181“ (1．a．National Transducer KeyLaboratoryofMicrosystemTechnology；b．StateKeyLaboratoryof Institute and 200050，China； Technology，ShanghaiofMicrosystemInformationTechnology，Shanghai 2．Graduate Chinese 100049，China) Universityof AcademyofSciences，Beijing novelsilicon basedonthe3Dmaskwas Abstract：A anisotropicetchingprocess proposed． theusualbulksilicon suchas reactiveion Through etchingprocessesdeep etching etching，wet andfilm suchasoxidationandchemical Si02／Si3N4filmswith3D processes vapordeposition，the structures werefabricatedforthesilicon canbe inthe anisotropicetching．Theprocess applied fabricationMEMS of micro structures．Across—barstructure was impending releasingcompleted ona n—Si(1