YBCO液相外延生长初始阶段的研讨.pdfVIP

第 卷 增刊 低 温 物 理 学 报 %/ JKL ,%/ 年 月 #MNO;P; Q$R@OD1 $I 1$S T;-7;@DTR@; 7M!PN#P ， %’ 5 $U= , %’ !#$ 液相外延生长初始阶段的研究 胡 剑 姚 忻 上海交通大学物理系，上海 %’ 通过液相外延生长的方法能制备高质量的 （ ）超导厚膜 利用高温金 !( #) $ !#$ , % ’ * + ! 相显微镜，在大气气氛下实时观测了沉积在-.$ 基片上的!#$ 薄膜熔化过程以及随后冷 却过程中的液相外延生长初始阶段, 通过对包晶分解过程的控制，留下部分微米级!#$ 晶 粒，并以此作为外延生长的种子, 实验结果表明，通过包晶反应 ! (#)$ 0 123)24 ! % / ，能在这些剩余的 晶粒周围快速外延生长出 晶体 本文探讨了初始 !( #) $ !#$ !#$ , % ’ * + ! 阶段的生长动力学以及外延生长取向问题, 5 引 言 近年来，很多研究者致力于生长高质量的超导晶体 在各种生长方法中，液相外延（ , 1236 ， ）生长是一种非常有前途的材料制备技术，利用这种方法目前已经能 )24 78(9: ;2=(? 17; 制备出大面积、低缺陷和具有高结晶性能的厚膜 其特殊性在于，液相外延生长在高温熔液 , 中进行 与通常气相沉积薄膜生长技术相比，在制备超导体晶体时它的主要优点是它在非真 , 空环境下成形，因此制备成本相对较低，并且具有相当高的生长速率，这是由于溶液中比气 相中含有更高浓度的溶质, 所以常被用来生长@;#$ 系列的超导厚膜，利用液相外延生长 （ ）的方法制备的 超导厚膜具有高的临界温度 （超过 ）和临界电流密度 17; @;#$ ! AB # ［ ］ C % 5 G H （达到 ），而且有很好的表面平整度（抛光处理后可达到纳米级） 单晶氧化镁 5 DE FF , （ ）成为应用最多的 液相外延生长基板材料，原因是该材料不但与 有较好的 -.$ !#$