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小晶体的衍射 晶胞：a、b、 c 在a、b、c方向上晶胞数：Na、Nb、Nc 晶胞数 N=NaNbNc 小晶体的衍射 晶胞：a、b、 c 在a、b、c方向上晶胞数：Na、Nb、Nc 晶胞数 N=NaNbNc 以晶胞为散射中心，任意一点 小晶体的衍射线振幅：（因为结构因素与晶胞的位置无关） 小晶体的衍射强度 晶体的衍射强度: L称为劳埃函数 L为劳埃函数 产生衍射的充要条件两者均不为零。 对于倒易矢量 ?、 ζ和ξ为任意实数，包括整数h、k和l。 劳埃函数 劳埃函数 当?、 ζ和ξ取0，±1，±2…等整数时，上式为不定式，用罗必达法则可求得 及 实际上取整数就变成hkl， 相位差变为 式中mnp和hkl都为整数，故相位差为2π的整数倍，说明各晶胞的散射波相位相同。 上式表明，在满足布拉格方程的条件下，小晶体的散射波为一个晶胞散射波Fhkl的N倍，强度为N2倍。 满足布拉格方程，则 如果结构因子F等于0，即一个晶胞的散射波合成波为0，则Ic＝0。此时没有衍射线出现，故F≠0是产生衍射线的成分条件。 干涉函数的图像 参与衍射的晶胞数Na越多，则N越大，峰也越尖锐。函数由主峰和副峰组成，两个主峰之间有若干副峰，可以证明副峰数为Na -2个，并且在两个主峰之间|L?|2有Na -2个零值。副峰的强度比主峰弱得多，第一级副峰的强度比主峰弱两个数量级，第二级副峰的强度就更弱。当Na 100时，|L?|2在主峰处非常大，此时副峰强度可以忽略，即实验能观察到的是主峰对应的强度。 衍射强度的影响因素 各个衍射hkl和衍射强度Ihkl可表示如下： K为常数项 L为洛仑兹因子 P为偏极化因子 T为温度因子 A为吸收因子 K为常数项 包括入射光强度、样品的体积、多重性因素等。 多重性因素 对于多晶体样品，因同一{hkl}晶面族的各晶面组各面间距相同，由布拉格方程知它们具有相同的2θ，其衍射线构成同一衍射圆锥的母线。通常将同一晶面族中等同晶面组数p称为衍射强度的多重性因素。在其它条件相同的情况下，多重性因素越大，则参与衍射的晶粒数越多，即每一晶粒参与衍射的几率越多。例如立方晶系的100衍射，它可能由粉末样品中某些晶粒的(100)面衍射产生的，也可能由另一些取向的晶粒的(001)、(-100)、(0-10)或(00-1)面衍射产生的。因为它们的面间距相同，故衍射线形成同衍射圆锥。 多重性因子 L为洛仑兹因子 因为晶体转动时，倒易点阵点也在转动，对于不同的衍射角倒易点阵点在反射球上停留的时间不同。因为x射线具有一定的发散性，反射球面可看作具有一定的厚度，不同衍射所对应的倒易点阵点在球面上停留的时间不同，因而积累的衍射能量不同。和衍射强度收集强度方法有关。 P为偏极化因子 和洛仑兹因子合为角因子。 A为吸收因子 物质对x射线的吸收与物质本身的线性吸收系数μ和入射线与衍射线通过样品的距离H有关，吸收因子A对衍射强度的影响可表示成指数函数，exp(-μH)。 T为温度因子 温度的高低影响原子的热运动。通常温度越高，原子振动振幅越大，电子云铺展的体积加大。此时原子散射因子将随sinθ/λ的增加而下降，通常也用指数函数表示为：exp[-B(sinθ/λ)2]。B是和原子振动有关的物理量。 有时为了方便起见，将吸收因子并入温度因子一起校正，而不出现独立的吸收因子。 衍射的系统消光 有点阵消光与结构消光两类。 点阵消光取决于晶胞中原子(阵点)位置而导致的?Fhkl?2=0的现象。 实际晶体中，位于阵点上的结构基元若非由一个原子组成，则结构基元内各原子散射波间相互干涉也可能产生?Fhkl?2=0的现象。此种在点阵消光的基础上，因结构基元内原子位置不同而进一步产生的附加消光现象，称为结构消光。 简单立方 晶胞中原子坐标(0 0 0) 结构因子可表示如下 对于简单结构，所有hkl 都可以发生衍射 体心点阵消光 晶胞中原子坐标(0 0 0), (1/2 1/2 1/2) 体心点阵消光 晶胞中原子坐标(0 0 0), (1/2 1/2 1/2) 结构因子可表示如下 h+k+l=2n时， h+k+l=2n+1时， 面心点阵消光 晶胞中原子坐标：(0 0 0), (0 1/2 1/2), (1/2 0 1/2), (1/2 1/2 0) 面心点阵消光 晶胞中原子坐标：(0 0 0), (0 1/2 1/2), (1/2 0 1/2), (1/2 1/2 0) 结构因子可表示如下 当h, k, l全为偶数或全为奇数即h+k=2n，h+l=2n，k+l=2n时 当h, k, l中有偶数又有奇数时， 利用多边形法则，得P点的 合振幅： 式中 P点的光强为：