硅在功率型白光LED中的应用研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 硅在功率型白光LED中的应用 王立彬 王良臣 中科院半导体所 100083 摘要：硅作为倒装结构功率型白光LED的sub—mount，具有优良的热传导性能；同时， 还为白光LED与其他硅电子器件的集成提供了集成平台，其中集成静电保护电路为其主要 应用之一。 关键词： 白光LED热分析静电保护硅 一、 前言 半导体照明是一种即节能又环保的新一代光源，为当前研究热点。目前技术比较成熟 的是采用GaN基蓝光LED激发荧光粉获得自光[1—5]。GaN基功率型LED分为正装和倒装两种 结构，其中倒装结构因为具有良好的电流扩展能力和较好的出光效率获得广泛应用。在倒 通过sub-mount上的引线为LED芯片加电压。由于传统半导体材料硅具有很好的强度特性和 成熟的加工工艺，同时有较高的导热率，成为sub—mount的首选材料。由于硅为应用最广 的半导体材料，可以在上面集成其他电子器件。因此，在硅sub-mount上集成静电保护电 路得到广泛应用。本文将对硅sub-mount在热传导中的热阻进行分析，并对硅sub—mount上 集成静电保护电路进行了介绍和论述。 二、 硅的热阻分析 在大功率LED中，由于出光效率比较低，大部分的电功率最终转化为热量，如果热传 导过程热阻过大，将导致芯片有源区温度比较高，有源区温度过高会使器件老化甚至损坏。 图l为倒装结构Led结构图，由于芯片被传导率极低的树脂(小于1瓦／(m·K))包围， 可以近似认为绝热，芯片温度在100℃左右，热辐射可以忽略不计，芯片产生的热量主要 通过热传导传入热沉，由热沉传入环境。图2为热传导通路。 图1倒装结构Led结构图 图2为热传导通路 石 热阻公式：Rt=÷，m为通过传热面积A的传热热阻，艿为材料厚度，五为热传 AA 导率，A为热传导有效面积[6]。 毫米，计算得热阻R=1．4C／w，由于大功率LED的发热功率接近1w，因此在硅片在厚度方 z 1．4C。 向上的温差△T=Rt·矽[6]，矽为热流量，此处即为LED发热功率，得△T 对LED进行有限元热场模拟分析，图3为作为sub-mount的硅片的热场分布，从图中 可得，硅片的最高温差只有1．954。C，比计算的温差大0．54℃，是由于它包含了与厚度方 302 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 向垂直的平面内的温差。 可见，用硅作为功率型LED的sub-mount，产生的温差小，散热性好。 图3硅sub-mount的热场分布 三、硅上集成保护电路 氮化镓作为新兴半导体材料，其器件与硅电子器件集成比较困难。硅作为应用最广的 半导体材料，用作LED的sub-mount，使得氮化镓基LED与硅电子器件的集成容易实现。 氮化镓基LED作为光电子器件，为静电敏感器件[7]，需要提供静电保护。目前应用比 较多的方法为在硅sub-mount上集成两个背靠背齐纳二极管，使之与LED并联[8，9]，如图 4所示。 ／ ＼ I Vz ／ ＼ ／ Vf V 图4静电保护结构 图5齐纳二极管I—V特性