磁控溅射碳化硅薄膜的结构研讨.pdfVIP

二 磁控溅射碳化硅薄膜的结构研究， 王 玫 1 黄安平’，宋雪梅’，朱满康’，汪 浩 ，‘王 波 ，‘严 辉 ，‘姚振宇2 (I，北京工业大学材料学院.新型功能材料教育部重点实验室.北京100022; 2.中国原子能科学研究院，275(51)信箱.北京 102413) 摘 要:本文采A射颇磁拉减封法，在Si(100)衬 洗，烘干后放入磁控铂射系统的真空室中.预真空抽 底上制备出了高质全的破化硅 (Sic)薄膜.主要研 到2.OxlO4Pa.溯射气体为rr气，气体流盈为20sxm. 究了减姗参数对沉积Sic薄成姑构的影响、探素了 最低工作气压为0.tPa，最高衬底沮度为6500C.射 sic薄膜的最佳制备条件.傅立叶红外(FTTR)光讲浏 颐功率为100-500W，衬底负偏压在0-300V之间变 试表明在优化的参毅条件下。采用封翻璐拉峨射法， 化。用ManChintekFIIR1020型红外谱仪分析了薄 能够创备ht高质贵的b-Sic薄膜.、 膜的红外光谱。 关健词:磁控滋射;阳-Si,夕I9印 吃 3 结果与讨论 1 引 言 图1为工作气压0.1Pa:工作时间40min，改变 碳化硅 (sic)作为一种宽带隙半导体材料.因 射频功率的条件下制备的样品的FTTR谱图，从图中 其较商的硬度、大的高温强度、优越的耐腐蚀性以 可以看出，当射频功率为30OW 时，出现一宽化的 及良好的导热性能，在蓝色发光器件、高温器件、 吸收峰。是由SOOtao-及 tooocmr处的两个特征吸 大功串器件和抗辐射器件的应用领城具有重要的地 收蜂.加而成的.分别对应于声sic中的s)-c键的伸 位t1.CVD法和洲射祛是目前制备Sic薄膜普泪咪用的 缩振动吸收及c-c健成si-o-si羞团的振动吸收pl, 方法，其中CVD法可获得纯度较高、均匀致密、附着 之所以出现这种结果，是因为在相同条件下碳和硅 性旬矜勺Sic薄腆。但沉和沮度较高 (通常10000C) 的溅射率有一定的差异，因而在薄腆中可能存在非 且存在较大的热应力。相对而言，派射法制备Sic 晶碳、团簇硅和 sic的其它杂相，同时。在其空室 薄膜具有低温的典型特点，不仅能够解决热应力的 中有少f未抽净的杂质载气存在.氧气离化后与 si 问肠，而且薄腆的结构致密、针孔少、纯度也较商、 发生反应形成si-o-si。当射频功率增大为40OW时、 成份易控、薄膜与衬底之间的附粉性良好，而且工 s00ctri处的特征吸收峰强度显若增强而Moan-,处 艺里复性好。尽管采用派射法制备sic薄膜的研究 的特征吸收峰相对减弱.即样品中s-c性数t显着 取得了令人可喜的进展，但是一些关性性技术问题 增多而c-c健成Si-0-si基团相对减少。这是因为增 仍有待解决。如何获得更低缺陷、更好的附着性及 大射频功率不仅可以增大赶击靶材的Ae的能tp, 成份可控的sic薄腆，还而更进一步的研究. 同时也可以月大妞气的离化率，从而增大娜离子体 本文采用射绷磁控橄创法，在单晶Si(100)衬 密度，等离子体密度和Ar能t的增大都会导致靶材 底上，制备出了高质f的a-Sic薄膜.研究了洲射 派射串的增大。因而薄族中si-c性橄t显若增多， 参数对d-SiC薄腆沉积的影响。探索了sic薄膜的 同时薄膜的生长速率也就月大.当抽射功率增大到 最佳制备杀件.采用F17叫FourierTransferInrfa-rod) sooyt时，从红外吸收奋可以粉出虽然薄腆主要由a 研究了薄膜中基团的共振吸收特性。 -sic构成.但吸收峰强度相对减胭，薄目的生长速 率变二 这是由于当派射功串太商时，可能出现反 2 实验方法 派射的现象。导致薄膜净生长速率变怪.而且也可