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磁控形状记忆合金，
刘 岩，用伟敬，江伯鸿，漆 增
·
(上海交通大学 国家教育部商沮材料及高沮渊试重点实验室，上海200030) 子
.
户
摘 要:本丈炸述了一种断型功能材料一越拉形状 并于1996年最先在Ni2MrtG.单晶中发现，当沿[001) 1
记忆合全，它通过磁场来粗动材料内部某些徽跳界 方向施加800kA1m磁场时，能诱发0.2%的应变 Q[, 1
面的移动，从而产生大的史形.这样它瓦共压电的 该材料立即引起广泛的兴趣，竞相研究.接粉Tickle 一
瓷和磁致伸馆材抖那样快的响应舰率，又能如形状 将磁诱发应变皿提商至2.39W[。其后.OHandley研
记忆合金那样愉出大的应力或高的可逆应变、本文 究了非化学计fNi门Mn-GA单晶，并在室温、仅320
回硕了磁控形状记忆材料在国内外研究的最断进 kAlm外磁场下诱发获得高达59G[的切应变.最新
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展，介绍了作者探索Co-Ni合金柑拉形状记忆性能 报道 ，Munay 已将磁诱发应变t提高至
的录断实脸姑果，并讨论了Ni-WG-a和Co基合金 5.790[[-6%[n。这已可与沮控Ni-Ti形状记忆合金相
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中滋场诱发应吏的不网机创. 月一 姚美。在短短几年内.Ni-Mn-Ga磁控形状记忆效应
关越词:磁控形状记忆:马氏体相变;Q+li-Mn-G!) 取得如此大的进展，引起各国材料研究者的极大盆
}T-冷 L 视。 1
在对Ni-Mn-Ga单晶研究的同时.Takagi采用
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1 引4P言 粉末冶金的方法探索了多晶Ni-Mn-Ga合金的磁控形 ‘
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承
1
状记忆效应1I.Ohtsuka研究了Ni-W-Ga薄膜材料
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的磁控形状记忆效应qll。研究发现 :经热压烧结的 r ‘
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