缓冲层对Si基GaN外延层中缺陷的影响研究.pdfVIP

缓冲层对Si 基GaN 外延层中缺陷的影响† 郝秋艳 解新建 刘彩池 赵丽伟 张 帷 （河北工业大学信息功能材料研究所，天津 300130 ） 摘 要：在硅基衬底上分别采用单缓冲层（高温AlN ）和双缓冲层（高温AlN ＋低温GaN ）上生长相同厚度的GaN 外延片，利用双晶X 射线衍射（DCXRD ）与透射电子显微镜（TEM ）对外延层观察，结果发现单缓冲层上生长的样 品晶体质量较差，内部含有位错、反畴区和亚晶粒等缺陷，而双缓冲层上生长的GaN 只含有较低密度的位错，说明 双缓冲层有效地降低了缺陷密度。并对双缓冲层减少缺陷的机理进行了研究。 关键词：GaN ；位错；反畴区；亚晶粒；TEM 1 引 言 GaN 最重要的物理特点是禁带宽度宽，适宜制造大功率、高温高频和高速半导体器件。目前面 临的最主要挑战是发展适合GaN 薄膜生长的低成本衬底材料和GaN 体单晶生长工艺。Si 具有物理 性能好、质量高、成本低、尺寸大、集成工艺成熟等优点，因此 Si 上外延生长 GaN 前景诱人。但 由于Si 与GaN 之间存在较大的晶格失配（17％）与热膨胀系数失配（56 ％），在外延生长过程中产 [1, 4] 生大量缺陷，这些缺陷都会影响器件的性能 。为了减少这种外延失配，改善外延层的晶体质量， 发展了双缓冲层工艺，但关于缓冲层如何影响缺陷的分布及机理研究还很少。外延层中缺陷观察最 [5, 6] 可靠的手段是采用透射电子显微镜（TEM ） ，而湿法化学腐蚀是研究位错的一种简单方法。本文 分别在单缓冲层和双缓冲层上生长相同厚度GaN，用TEM 和KOH 腐蚀研究外延层中的缺陷，并就 缓冲层对缺陷的影响机理进行初步探讨。 2 实 验 实验所用GaN 样品是在Si （111）衬底上利用金属有机化学气相沉积（MOCVD ）得到的。样品 A （单缓冲层）首先在1100℃、H 环境下氢化 10min ，除去硅片表面氧化层，接着在1060℃下生长 2 AlN 缓冲层，厚度约为20nm ，生长完AlN 缓冲层后，升温至1060℃生长高温GaN1200s ；样品B （双 缓冲层）在 1060℃生长完20nm AlN 缓冲层后，再降温至525℃生长厚度约30nm 的低温GaN，最后 生长基高温GaN1200s 。用双晶X 射线衍射（DCXRD ）测定样品晶体质量，并将GaN 在KOH：H O 2 ＝1：10 （m ：m ）的KOH 溶液中进行 100℃下不同时间的腐蚀，腐蚀前后用扫描电子显微镜（SEM ） 观察其表面形貌，透射电子显微镜（TEM ）研究GaN 内部的缺陷。 3 结果与讨论 图1 和图2 分别为样品A 和B 的SEM 图和DCXRD 图。可以看到，双缓冲层上生长的样品B 表面平整没有裂纹，并且晶体质量比样品A 高出很多。这是由于硅上外延 GaN 时, 以高温（1060℃ 左右）AlN 作为单缓冲层可以外延出较平整的GaN，同时低温GaN 缓冲层的引入，提供高密度的成 核中心,这些成核中心的晶向与衬底相同, 降低了衬底与外延层间的自由能而有利于外延生长，因此外 † 基金项目：教育部新世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金（E2005000042 ） 34 延质量得到提高。同时，低温GaN 缓冲层的插入，进一步缓解了衬底与外延层间的失配，使外延层 出现裂纹的极限厚度增加，从图1 中可以看到，外延层厚度相同，单缓冲层上的GaN 出现了裂纹， 而双缓冲层上的GaN 表面平滑没有裂纹，因此双缓冲层的引入改善了晶体质量，利用双缓冲层获得 高质量的GaN 是一个较好的手段。 （a） （b ） 图1 样品A 和B 腐蚀前的SEM 图：（a）样品A ，（b ）样品B