退火温度对铝互连线热应力的影响研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 退火温度对铝互连线热应力的影响 吴月花，李志国，廖京宁，刘志民+，吉元+，胡修振 北京工业大学电控学院，+北京工业大学材料学院，100022 摘要：采用二维面探测器XRD测量lum及0．5um厚AL互连线退火前后的残余应力。沉 积态AL线均为拉应力，且随膜厚的增加而减小。沿长度方向的应力明显高于宽度方向的 应力，表面法线方向应力最小。250℃退火2．5hr后，互连线在各方向上的应力都减弱， 其中l№一A1线应力减弱幅度高于0．5№互连线。采用EBSD方法，测量退火前后Al互连 之减小。 EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合。 关键词：二维面探测器XRD，EBSD，残余应力，IQ值，退火温度 ofthe between InvestigationRelationship Anneal andndThermalThermal ingingTemperature Abstract：Theresidualstrainsandstressesof aluminuminterconnects lum／O．5um wereobserved twodimensionXRD．Thetensilestressofthe byUSing deposited interconnectsdecreasedwiththe width．The interconnectlongitudinal increasing stressiSobviousthantransversestress．Stressesin directions lager every iS decreaseafter2．5hr’S oflum—aluminum annealing．Thedecreasingamplitude much thanthatof0．Sum．The Kikuchwascarriedout lager imagequality(IQ)of EBSDfore—and—aft resultrevealedthatlatticedistortion byusing annealing．The decreased anneal stresswerereleased． by ing，the Keywords：Residual XRD，EBSD，IQ stress，annealingtemperature，two—dimension 随着集成电路的不断发展，为了实现更高的速度和集成度，器件的尺寸不断缩小，互 连线的特征尺寸也不断缩小，互连线的结构越来越复杂，90nm以下水平的cu和Al互连 线已商业化。在芯片制造和使用的电、热过程中引入的应力是导致半导体器件失效的重要 原因。因此研究集成电路中的残余应力对于提高器件的稳定性和可靠性具有十分重要的意 义。热应力是金属互连线、衬底、介质覆盖层之间由于热膨胀系数差异造成的，应力使互 连线产生空洞、晶须、小丘、裂缝及结构分层等缺陷。 人们通过不同的方法希望得到集成电