-第4章半导体二极管、三极管和场效应管.pptVIP

第 4 章 半导体二极管、三极管和场效应管;一 半导体;Ge;硅(锗)的原子结构;（一）本征半导体：纯净的单晶结构的半导体 受惯性核束缚的价电子在绝对温度零度(0°K)即-273℃之下 →本征半导体硅（锗）的全部价电子?都为束缚电子 ?与理想绝缘体一样不能导电。 自由电子： 价电子获得足够的能量挣脱惯性核的束缚(温度0 ° K时) 带负电荷的物质——又称电子载流，这是由热激发而来的 空穴： 价电子成为自由电子时,原共价键留下了一个空位 ——带正电荷的物质，即空穴载流子。 ;本征激发：共价键分裂产生电子空穴对的过程;载流子浓度：单位体积半导体中载流子的数目（个/m3 ） 本征半导体内电子载流子浓度（Ni）=空穴载流子浓度（Pi） 本征载流子浓度=Ni+Pi（其值甚微）——即载流子浓度甚低 本征半导体内的载流子浓度很低→导电能力很弱， 故不能用来直接制作半导体器件;两种载流子;（二） 杂质半导体;2、 P 型半导体： 在本征半导体中掺入三价元素（硼）——增大空穴浓度 ;①漂移运动：——漂移电流 载流子在电场作用下定向运动所形成的电流。 自由电子：从低→高电位漂移形成电流(方向与电场方向相反) 空穴：从高→低电位漂移形成电流（方向与电场方向相同） 电场强 、漂移速度高、载流子浓度大= 总漂移电流大。 ②扩散电流：物质由高浓度的地方向低浓度的地方运动所形成的电流。 浓度差越大→扩散能力越强→扩散电流越大 扩散电流大小→同载流子浓度差或扩散运动快慢成正比 ;3. 扩散和漂移达到动态平衡;三、PN 结(PN Junction)的形成 P 型、N 型半导体的简化图示;;P 区; 1、PN结加正向电压 当P区接“+”，N区接“-”，称为PN结正向偏置（正偏）。 PN结呈导通状态，电阻很小。;（二） PN 结的伏安特性;(四）PN结的极间电容;第二节　半导体二极管;一、半导体二极管的结构和类型;点接触型;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;三、 二极管的主要参数;1. 最大整流电流 IF;3.反向电流 IR; 四、二极管的等效电路及应用;（二）、二极管正向压降等效电路;（三）二极管电路的分析方法 构成的桥式整流电路在ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。;O;3. 参数估算;二极管组成的限幅电路：当U》0且U》UR+UD时，二极管D导通，开关闭合，输出电压U0=UD+UR。当U《UR+UC时，二极管D截止，开关断开，输出电压 U0=U。波形图如下：;;主要参数;5. 稳定电压温度系数 CT; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 若正向偏置可作为理想二极管正向偏置工作，当反向偏置电压小于UZ时，稳压管截止。 ;第三节　双极型晶体管; 晶体三极管;分类：;二、晶体管电流分配关系和放大作用;（一）晶体管内部载流子的运动;I CN;（二）晶体管的电流分配关系;IE = IC + IB;1. 满足放大条件的三种电路;（四）关于PNP 型晶体管; ;NPN管 PNP管;(一)、输入特性;O;（二）、输出特性;2. 饱和区：;3. 放大区：;四、晶体管的主要参数;2. 共基极电流放大系数;c;（三）、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;集电极最大电流ICM;五、温度对特性曲线的影响;2. 温度对 ? 的影响 温度升高，输出特性曲线向上移。;3.温度对基极、射极间正向电压UBE的影响; ;;ddUC7Y)(U0OmwN+NMILCtho0jR0)lg7xjwL4)lvBvj#0zAM+1-mCHH)Qo#qqC4lBJMfvzN0FF4r1W5Z$PGCstx6T-Wf%mwd+#G((gm7Iodb5-cqaD7rMNWF12sHD9RPccD-)-r2r#rx209KBa3CWFVVUw!zuXj!SBVPZ*OUm073Mk-nx8tr)G-Y7Ix)6qGa2s93lUY24o2!NgP(AMAL0u2mZ!8BPYvGx*1V7YrFHUs+EQz(Bzp*9Cr5Pkd2%RoUjluv7NQ9opkIgKo8yXW!9$z1-BfX$!oXuuqm8SkDb-H1-p4IpryfdSTRdGFws65t6)M(uY7MljiZV$ur7Zt2L3YTAqiIu04gJ*xW!Ag06PNoarl*K3bm%EiV6y3V)w#Wdx+6ISAN*WSK1yIhhMVWhXSyN(Qd(WEUUNSeRVYJ9a2MzR!jiQ7I90Ev6ycXhRDpUm9l)mRplHCBq2sO1viso#vR1)ueo