第8章 光电式传感器PPT.ppt

思考与讨论 光敏二极管和光敏三极管的工作原理与基本特性。 8.5 新型光电传感器 8.5.1 高速光电二极管 1. PIN结光电二极管 P I N P、N间加了层很厚的高电阻率 的本征半 导体I。P层做的很薄。 比普通的光电二极管施加较高的反偏压。 入射光照射在P层上， 因P层很薄，大量的 光被较厚的I层吸收， 激发较多的载流子形 成光电流；又PIN结 光电二极管比PN结光 电二极管施加较高的 反偏置电压，使其耗尽层加宽。当P型和N型半导体结合后，在交界处形成电子和空穴的浓度差别，因此N区的电子要向P区扩散，P区空穴向N区扩散 图8-28 PIN光电二极管 偏压 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 输出端 P I N P区一边失去空穴，留下带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下带正电的杂质离子，在PN交界面形成空间电荷，即在交界处形成了很薄的空间电荷区，在该区域中，多数载流子已扩散到对方而复合掉，即消耗尽了，耗尽层的电阻率很高。扩散越强，耗尽层越宽，PN结内电场越强，加速了光电子的定向运动，大大减小了漂移时间，因而提高了响应速度。PIN结光电二极管仍然具有一般PN结光电二极管的线性特性。 2.雪崩式光电二极管（APD） 在PN结的P区外增加一层掺杂浓度极高的P +层，且在其上加上高反偏压。 偏压 输出端 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 P+ P N 图8-29 雪崩式二极管 当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子-空穴对。如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子（一次电子）在高电场区获得足够能量而加速运动。高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子-空穴对。 新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增， 8.5.2 色敏光电传感器 不同区域对不同波长分别具有不同灵敏度，浅结对紫外光灵敏度高。 N P 1 2 3 P+ 1 2 3 根据光学性能，不同颜色的光在不同的介质中的穿透能力不同。利用不同介质对某一色光的吸收，用这种色光去投射液体管道，根据接收到的光强来判断管道中的液流介质。 8.5.3 光固态图象传感器 光固态图象传感器由光敏元件阵列和电荷转移器件集合而成。它的核心是电荷转移器件CTD（Charge Transfer Device），最常用的是电荷耦合器件CCD（Charge Coupled Device）。由于它具有光电转换、信息存储、延时和将电信号按顺序传送等功能，以及集成度高、功耗低的优点，因此被广泛地应用。 1．CCD的结构和基本原理 CCD是一种半导体器件，由若干个电荷耦合单元组成。CCD的最小单元是在P型（或N型）硅衬底上生长一层厚约120nm的SiO2，再在SiO2层上依次沉积金属或掺杂多晶硅电极而构成金属-氧化物-半导体的电容式转移器。其中，“金属”为SiO2层上沉积的金属或掺杂多晶硅电极，称为“栅极”；半导体硅作为底电极，俗称“衬底”；“氧化物”为两电极之间夹的绝缘体SiO2。 CCD的MOS结构 P型Si 耗尽区 电荷转移方向 Ф1 Ф2 Ф3 输出栅 输入栅 输入二极管 输出二极管 SiO2 当向SiO2表面的电极加正偏压时，P型硅衬底中形成耗尽区（势阱），耗尽区的深度随正偏压升高而加大。其中的少数载流子（电子）被吸收到最高正偏压电极下的区域内（如图中Ф1极下），形成电荷包（势阱）。 对于N型硅衬底的CCD器件，电极加正偏压时，少数载流子为空穴。 电荷转移的控制方法，非常类似于步进电极的步进控制方式。也有二相、三相等控制方式之分。下图以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3 (a) Ф1 Ф2 Ф3 t0 t1 t2 t3 t Ф (b) 电荷转移过程 t=t0 t=t1 t=t2 t=t3 0 三相控制是在线阵列的每一个像素上有三个金属电极P1,P2,P3,依次在其上施加三个相位不同的控制脉冲Φ1，Φ2，Φ3，见图（b）。CCD电荷的注入通常有光注入、电注入和热注入等方式。图(b)采用电注入方式。当P1极施加高电压时，在P1下方产生电荷包（t=t0）；当P2极加上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来在P1下的电荷将在P1、P2两电极下分布（t=t1）； 当P1回到低电位时，电荷包全部流入P2下的势阱中（t=t2）。然后，p3的电位