基于SEM的纳米级电子束曝光机系统设计研究.pdfVIP

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2018-01-10 发布于广东
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基于SEM的纳米级电子束曝光机系统设计研究.pdf

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2005年12月第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会湖南·长沙基于SEM的纳米级电子束曝光机系统设计顾文琪薛虹韩立刘俊标初明璋 (中国科学院电工研究所) 摘要：本文主要介绍基于扫描电子显微镜(SEM)纳米级实用化电子束曝光机系统的研究内容、主要技术指标及曝光工艺实验的结果。关键词：电子束曝光机、系统设计、系统集成、工艺实验一、引言微电子技术的飞速发展在很大程度上归功于微细加工技术与设备的不断进步，正是微细加工技术的不断进步和设备的不断更新换代，推动了集成电路特征尺寸的缩小和性能的提高。微细加工技术已经成为微电子领域的先导技术。电子柬曝光技术广泛地应用于高精度掩模、移相掩模制造，新一代集成电路的研制及ASIC的开发，新器件、微细结构的探索研究与加工等方面。中国科学院电工研究所在多年从事电子束曝光机研究的基础上．开展了纳米级实用化电子束曝光系统的研究工作。纳米级实用化电子束曝光系统，以高档扫描电子显微镜为基础，配备精密激光工件台、DSP多功能图形发生器、控制用微型计算机、真空系统及控制软件和自动送片和手动送片机构。二、纳米级实用化电子束曝光系统主要设计指标加速电压： 1～30kV 电子束直径： 6nm(min) 最细线宽： 30hm 扫描速度： 5MHz 图形尺寸精度：0．06lrm(2s) 图形拼接精度： O．06V．m(2s) 图形套刻精度：0．061xm-0．1v．m(2s) 工件尺寸：硅片5英寸(max) 掩模版6英寸(max) 可装入非标准试片工件台移动速度：16mm／sec 工件台移动范围：160x140mm 激光测量分辨率：1．93rim(}．／512) 一62— 2005年12月第十三届全一电子柬·离子束·光子束学术年套湖南·长沙匝靶椒蟋嚼栽瞽长巾脚掌匠林懿*嚣 _【匾一63一 2005年12月第十三届全国电子束·离子柬·光子束学术年会