掺杂ZnO薄膜与ZnO基异质结发光器件研究.pdfVIP

掺杂ZaO薄膜友ZnO基异质结发光器件研究 摘要 eV)半导体材料。它 ZnO是具有高激子束缚能(--,60meV)的宽带隙(3．37 在紫外发光(激光)二极管、薄膜晶体管、紫外探测器、气体传感器、稀磁半导 体等领域有广嗣的应用前景．本论文针对目前ZnO研究中的热点问题，在 ZnO：Mn稀磁半导体薄膜、ZuO：F透明导电薄膜以及ZnO／GaN异质结发光器件 等方面，牙展了一系列研究工作，取得如下主要结果： 一、袭用磁控共溅射技术制备了Mn单掺杂及(h缸，N)共掺杂的ZnO薄膜。 薄膜均具有单相、c轴取向的六角纤锌矿结构。Mn掺杂导致了ZnO晶格常数和 光学带隙的增加，并且诱导了微结构的无序性。室温下，bin单掺杂的ZnO薄膜 仅表现出碾磁行为；而(M呜N)共掺杂的ZnO薄膜则具有居里温度高于300K 的铁磁性．并利用束缚磁极化子模型讨论了共掺杂薄膜中的铁磁祸合机制。 二、采用电子束蒸发ZnF2结合热氧化的方法制备了F掺杂的ZnO多晶薄膜。 ZnO：F薄膜具有低于10dO．cm的电阻率和高于90％的可见光透过率。F的施主掺 杂不仅提裔了薄膜的电子